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1. (WO2002092857) ELEMENTS DE CIRCUIT NANOMETRIQUE ASSEMBLES DE FACON CHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/092857    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/015895
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 17.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.12.2002    
CIB :
G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : INTEGRATED NANO-TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 999 Lehigh Station Road, P.O. Box 23447, Rochester, NY 14692 (US)
Inventeurs : CONNOLLY, Dennis, Michael; (US)
Mandataire : LEINBERG, Gunnar, G.; Nixon Peabody LLP, Clinton Square, P.O. Box 31051, Rochester, NY 14609 (US)
Données relatives à la priorité :
09/860,046 17.05.2001 US
Titre (EN) CHEMICALLY ASSEMBLED NANO-SCALE CIRCUIT ELEMENTS
(FR) ELEMENTS DE CIRCUIT NANOMETRIQUE ASSEMBLES DE FACON CHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides nano-scale devices, including electronic circuits, using DNA molecules as a support structure. DNA binding proteins are used to mask regions of the DNA as a material, such as a metal is coated onto the DNA. Included in the invention are DNA based transistors, capacitors, inductors and diodes. The present invention also provides methods of making integrated circuits using DNA molecules as a support structure. Methods are also included for making DNA based transistors, capacitors, inductors and diodes.
(FR)L'invention concerne des dispositifs nanométriques, tels que des circuits électroniques au moyen de molécules d'ADN utilisées en tant que structure de support. Des protéines liées à l'ADN sont utilisées afin de masquer des régions d'ADN en tant que matériau, un métal est, par exemple, revêtu sur l'ADN. L'invention concerne également des transistors, des condensateurs, des inducteurs et des diodes à base d'ADN, ainsi que des procédés de fabrication de circuits intégrés au moyen de molécules d'ADN utilisées en tant que structure de support. Ces procédés permettent également de fabriquer des transistors, des condensateurs, des inducteurs et des diodes à base d'ADN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)