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1. (WO2002091542) BLOC D'ALIMENTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091542    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/002090
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 07.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.10.2002    
CIB :
H02J 7/00 (2006.01)
Déposants : FIREANGEL LIMITED [GB/GB]; The TechnoCentre, Coventry University Technology Park, Puma Way, Coventry CV1 2TT (GB) (Tous Sauf US).
RUTTER, Nicholas, Alexander [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
HART, Stuart [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : RUTTER, Nicholas, Alexander; (GB).
HART, Stuart; (GB)
Mandataire : HALLAM, Arnold, Vincent; Marks & Clerk, 144 New Walk, Leicester LE1 7JA (GB)
Données relatives à la priorité :
0111107.9 05.05.2001 GB
Titre (EN) POWER SUPPLY
(FR) BLOC D'ALIMENTATION
Abrégé : front page image
(EN)A rechargeable power supply (10) comprises at least one a rechargeable cell (12) connectable to a power source (14), a Zener diode (20) connected to the at least one cell (12), and a bipolar transistor or FET (22) for selectively disconnecting the Zener diode (20) from the cell (12) thereby to reduce any discharge of the cell (12) through the voltage protection means (20). The Zener diode (20) and the transistor (22) are connected together in series and jointly connected across the cell in parallel.
(FR)L'invention concerne un bloc d'alimentation rechargeable (10) comprenant au moins une cellule rechargeable (12) pouvant être connectée à une source d'énergie (14), une diode de Zener (20) connectée à la ou aux cellule(s) (12), et un transistor bipolaire ou un transistor à effet de champ (22) permettant de déconnecter sélectivement la diode de Zener (20) de la cellule (12) pour ainsi réduire toute décharge de la cellule (12) à l'aide du protection contre les surtensions (20). La diode de Zener (20)et le transistor (22) sont tous les deux montés en série et sont interconnectés en parallèle à travers la cellule.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)