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1. (WO2002091490) DISPOSITIFS ACTIFS A FILS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091490    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/006996
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 08.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2002    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 41/113 (2006.01)
Déposants : IBM CORPORATION [US/US]; T.J. Watson Research Center, P.O. Box 218, Route 134, Yorktown Heights, NY 10598 (US)
Inventeurs : SOLOMON, Paul, Michael; (US).
SHAW, Jane, Margaret; (US).
KAGAN, Cherie, R.; (US).
DIMITRAKOPOULOS, Christos, Dimitrios; (US).
NING, Tak, Hung; (US)
Mandataire : UNDERWEISER, Marian; International Business Machines Corporation, T.J. Watson Research Center, P.O. Box 128, Route 134, Yorktown Heights, NY 10598 (US)
Données relatives à la priorité :
09/852,078 09.05.2001 US
Titre (EN) ACTIVE DEVICES USING THREADS
(FR) DISPOSITIFS ACTIFS A FILS
Abrégé : front page image
(EN)Active devices that have either a thread or a ribbon geometry. The thread geometry includes single thread active devices and multiply thread devices. Single thread devices have a central core that may contain different materials depending upon whether the active device is responsive to electrical, light, mechanical, heat, or chemical energy. Single thread active devices include FETs, electro optical devices, stress transducers, and the like. The active devices include a semiconductor body that for the single thread device is a layer about the core of the thread. For the multiple thread devices, the semiconductor body is either a layer on one or more thread or an elongated body disposed between two of the threads. For example, a FET (50) is formed of three threads, of which carried a gate insulator layer (74) and a semiconductor layer (72) and the other two (58,60) of which are electrically conductive and serve as the source (58) and drain (60). The substrates or threads are preferably flexible and can be formed in a fabric.
(FR)L'invention concerne des dispositifs actifs sous forme de fil ou de ruban. Ce fil comprend plusieurs dispositifs actifs à fil simple et plusieurs dispositifs à fils multiples. Les dispositifs à fil simple comprennent une âme centrale pouvant contenir différents matériaux selon que le dispositif actif est sensible à l'énergie électrique, lumineuse, mécanique, thermique ou chimique. Les dispositifs actifs à fil simple comprennent des transistors à effet de champ (TEC), des dispositifs électro-optiques, des capteurs de contrainte et analogues. Ces dispositifs actifs comprennent un corps semi-conducteur constitué, dans le cas des dispositifs à fil simple, d'une couche entourant l'âme du fil. Dans le cas des dispositifs à fils multiples, le corps semi-conducteur est constitué d'une couche entourant un ou plusieurs fils ou un corps allongé disposé entre deux des fils. A titre d'exemple, un TEC (50) est formé de trois fils, dont un servant à supporter une couche d'isolation de grille (74) et une couche semi-conductrice (72), les deux autres fils (58, 60) étant conducteurs d'électricité et servant de source et de drain. Les substrats ou les fils sont de préférence flexibles et peuvent former une structure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)