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1. (WO2002091485) ELEMENT RECEPTEUR OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR DOTE DE COUCHES ESPACEURS D'ACCELERATION INTERCALEES ENTRE PLUSIEURS COUCHES D'ABSORPTION DE LUMIERE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091485    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/004203
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 26.04.2002
CIB :
H01L 31/101 (2006.01)
Déposants : ANRITSU CORPORATION [JP/JP]; 10-27, Minamiazabu 5-chome, Minato-ku, Tokyo 106-8570 (JP) (Tous Sauf US).
KAWANO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIDAYA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAOKA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWANO, Kenji; (JP).
YOSHIDAYA, Hiroaki; (JP).
HIRAOKA, Jun; (JP).
SASAKI, Yuichi; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-135149 02.05.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT RECEIVING ELEMENT PROVIDED WITH ACCELERATION SPACER LAYERS BETWEEN A PLURALITY OF LIGHT ABSORBING LAYERS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ELEMENT RECEPTEUR OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR DOTE DE COUCHES ESPACEURS D'ACCELERATION INTERCALEES ENTRE PLUSIEURS COUCHES D'ABSORPTION DE LUMIERE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light receiving element comprising an n electrode, an n−type semiconductor doped or nondoped layer provided above the n electrode, a semiconductor light absorbing layer provided above the n−type semiconductor doped or nondoped layer, a p−type semiconductor doped layer provided above the semiconductor light absorbing layer, and a p electrode provided above the p−type semiconductor doped layer. The semiconductor light absorbing layer comprises a part of at least two p−type doped layers, and a spacer layer of semiconductor material sandwiched by the two layers and accelerating electrons and holes generated when incident light is absorbed to the semiconductor light absorbing layer.
(FR)L'invention concerne un élément récepteur optique à semi-conducteur comprenant dans l'ordre suivant : une électrode n ; une couche dopée ou non dopée à semi-conducteur de type n qui est appliquée sur l'électrode n ; une couche d'absorption de lumière à semi-conducteur qui est appliquée sur la couche précédente ; une couche dopée à semi-conducteur de type n qui est appliquée sur la dernière couche, et enfin une électrode p. La couche d'absorption de lumière à semi-conducteur comprend une partie d'au moins deux couches dopées de type p et une couche espaceur en matière semi-conductrice intercalée entre les deux couches et des électrons d'accélération et des trous générés lorsque la lumière incidente est absorbée dans la couche d'absorption de la lumière à semi-conducteur.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)