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1. WO2002091485 - ELEMENT RECEPTEUR OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR DOTE DE COUCHES ESPACEURS D'ACCELERATION INTERCALEES ENTRE PLUSIEURS COUCHES D'ABSORPTION DE LUMIERE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2002/091485
Date de publication 14.11.2002
N° de la demande internationale PCT/JP2002/004203
Date du dépôt international 26.04.2002
CIB
H01L 31/101 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
CPC
H01L 31/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
Déposants
  • ANRITSU CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KAWANO, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • YOSHIDAYA, Hiroaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HIRAOKA, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SASAKI, Yuichi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KAWANO, Kenji
  • YOSHIDAYA, Hiroaki
  • HIRAOKA, Jun
  • SASAKI, Yuichi
Mandataires
  • SUZUYE, Takehiko
Données relatives à la priorité
2001-13514902.05.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT RECEIVING ELEMENT PROVIDED WITH ACCELERATION SPACER LAYERS BETWEEN A PLURALITY OF LIGHT ABSORBING LAYERS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ELEMENT RECEPTEUR OPTIQUE A SEMI-CONDUCTEUR DOTE DE COUCHES ESPACEURS D'ACCELERATION INTERCALEES ENTRE PLUSIEURS COUCHES D'ABSORPTION DE LUMIERE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé
(EN)
A semiconductor light receiving element comprising an n electrode, an n−type semiconductor doped or nondoped layer provided above the n electrode, a semiconductor light absorbing layer provided above the n−type semiconductor doped or nondoped layer, a p−type semiconductor doped layer provided above the semiconductor light absorbing layer, and a p electrode provided above the p−type semiconductor doped layer. The semiconductor light absorbing layer comprises a part of at least two p−type doped layers, and a spacer layer of semiconductor material sandwiched by the two layers and accelerating electrons and holes generated when incident light is absorbed to the semiconductor light absorbing layer.
(FR)
L'invention concerne un élément récepteur optique à semi-conducteur comprenant dans l'ordre suivant : une électrode n ; une couche dopée ou non dopée à semi-conducteur de type n qui est appliquée sur l'électrode n ; une couche d'absorption de lumière à semi-conducteur qui est appliquée sur la couche précédente ; une couche dopée à semi-conducteur de type n qui est appliquée sur la dernière couche, et enfin une électrode p. La couche d'absorption de lumière à semi-conducteur comprend une partie d'au moins deux couches dopées de type p et une couche espaceur en matière semi-conductrice intercalée entre les deux couches et des électrons d'accélération et des trous générés lorsque la lumière incidente est absorbée dans la couche d'absorption de la lumière à semi-conducteur.
Également publié en tant que
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