(EN) A semiconductor light receiving element comprising an n electrode, an n−type semiconductor doped or nondoped layer provided above the n electrode, a semiconductor light absorbing layer provided above the n−type semiconductor doped or nondoped layer, a p−type semiconductor doped layer provided above the semiconductor light absorbing layer, and a p electrode provided above the p−type semiconductor doped layer. The semiconductor light absorbing layer comprises a part of at least two p−type doped layers, and a spacer layer of semiconductor material sandwiched by the two layers and accelerating electrons and holes generated when incident light is absorbed to the semiconductor light absorbing layer.
(FR) L'invention concerne un élément récepteur optique à semi-conducteur comprenant dans l'ordre suivant : une électrode n ; une couche dopée ou non dopée à semi-conducteur de type n qui est appliquée sur l'électrode n ; une couche d'absorption de lumière à semi-conducteur qui est appliquée sur la couche précédente ; une couche dopée à semi-conducteur de type n qui est appliquée sur la dernière couche, et enfin une électrode p. La couche d'absorption de lumière à semi-conducteur comprend une partie d'au moins deux couches dopées de type p et une couche espaceur en matière semi-conductrice intercalée entre les deux couches et des électrons d'accélération et des trous générés lorsque la lumière incidente est absorbée dans la couche d'absorption de la lumière à semi-conducteur.