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1. (WO2002091484) ELEMENT RECEPTEUR DE LUMIERE DE SEMI-CONDUCTEUR EMETTANT UNE LUMIERE INCIDENTE DE MANIERE REPETEE DANS UNE COUCHE D'ABSORPTION DE LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION AFFERENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091484    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/004372
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 01.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.08.2002    
CIB :
H01L 31/0232 (2006.01)
Déposants : ANRITSU CORPORATION [JP/JP]; 10-27, Minamiazabu 5-chome, Minato-ku, Tokyo 106-8570 (JP) (Tous Sauf US).
KAWANO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIDAYA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAOKA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Yuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWANO, Kenji; (JP).
YOSHIDAYA, Hiroaki; (JP).
HIRAOKA, Jun; (JP).
SASAKI, Yuichi; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-136474 07.05.2001 JP
2001-315625 12.10.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT RECEIVING ELEMENT TRANSMITTING INCIDENT LIGHT REPEATEDLY IN LIGHT ABSORBING LAYER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ELEMENT RECEPTEUR DE LUMIERE DE SEMI-CONDUCTEUR EMETTANT UNE LUMIERE INCIDENTE DE MANIERE REPETEE DANS UNE COUCHE D'ABSORPTION DE LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION AFFERENT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light receiving element comprising a substrate, a lower clad layer formed of at least one layer on the substrate, a light absorbing layer formed on the lower clad layer, an upper clad layer formed of at least one layer on the light absorbing layer, and a light incident end face provided in at least one of the substrate and the lower clad layer such that light entering at a specified angle is absorbed by the light absorbing layer and can be taken out as a current. Equivalent refractive index of at least one of the substrate and the lower clad layer providing the light incident end face is higher than the refractive index of at least one layer constituting the upper clad layer, and the specified angle is set such that light incident to the light absorbing layer ca be reflected on the lower surface of at least one layer constituting the upper clad layer.
(FR)La présente invention concerne un élément récepteur de lumière de semi-conducteur comprenant un substrat, une couche de gainage inférieure constituée d'au moins une couche disposée sur le substrat, une couche d'absorption de lumière constituée sur la couche de gainage inférieure, une couche de gainage supérieure constituée d'au moins une couche disposée sur la couche d'absorption de lumière, et une face d'extrémité à lumière incidente présente au niveau du substrat et/ou de la couche de gainage inférieure de sorte que la lumière entrant selon un angle spécifique est absorbée par la couche d'absorption de lumière et peut être émise comme un courant. L'indice de réfraction équivalent du substrat et/ou de la couche de gainage inférieure constituant la face d'extrémité à lumière incidente est supérieur à l'indice de réfraction d'au moins une couche constituant la couche de gainage supérieure, et l'angle spécifié est défini de sorte que la lumière incidente à la couche d'absorption de lumière peut être réfléchie sur la surface inférieure d'au moins une couche constituant la couche de gainage supérieure.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)