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1. (WO2002091483) DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE AMELIORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091483    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014325
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 06.05.2002
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 29/22 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/073 (2012.01)
Déposants : BP CORPORATION NORTH AMERICA INC. [US/US]; 4101 Winfield Road, Mail code 5 East, Warrenville, Illinois 60555 (US)
Inventeurs : CUNNINGHAM, Daniel, W.; (US).
RUBCICH, Marc, P.; (US)
Mandataire : NEMO, Thomas, E.; BP America Inc., BP Legal, 200 East Randolph Drive, MC 2207A, Chicago, IL 60601 (US)
Données relatives à la priorité :
60/289,481 08.05.2001 US
Titre (EN) IMPROVED PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE AMELIORE
Abrégé : front page image
(EN)This invention is a layered thin film semiconductor device comprising a first transparent layer; a thin, second transparent layer having a conductivity less than the first transparent layer; and n-type layer; and a p-type layer comprising one or more IIB and VIA elements. This invention is also a method for making such semiconductor device. The thin film semiconductor devices of this invention are useful for making photovoltaic devices.
(FR)Cette invention concerne un dispositif semiconducteur à couches minces, comprenant : une première couche transparente ; une deuxième couche transparente, mince, présentant une conductivité inférieure à celle de la première couche transparente ; une couche de type n ; ainsi qu'une couche de type p, comprenant un ou plusieurs éléments IIB et VIA. Cette invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif semiconducteur. Ces dispositifs semiconducteurs à couches minces servent à la fabrication de dispositifs photovoltaïques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)