WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002091480) DISPOSITIF OPTIQUE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091480    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009421
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 27.03.2002
CIB :
G02B 5/18 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : CSUTAK, Sebastian, M.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Motorola Labs Motorola, Inc., Corporate Law Department Intellectual Property Section 7700 West Parmer Lane MD: TX32/PL02 Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
09/846,086 02.05.2001 US
Titre (EN) OPTICAL DEVICE AND METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A photodetector uses a semiconductor on insulator (SOI) substrate having an optical grating over the silicon semiconductor to change the direction of incident light to divert it into the silicon which functions as waveguide. The underlying insulator operates as one boundary of the waveguide and the overlying grating operates as the other. Photodetector electrodes are placed in the silicon, which puts them in close proximity to the carriers that are generated by the light entering the silicon waveguide.
(FR)Un photodétecteur comprend un substrat de semi-conducteur sur isolant (SOI) comportant sur le semi-conducteur en silicium, un réseau optique qui change la direction de la lumière incidente pour la dévier dans le silicium qui fait office de guide d'onde. L'isolant sous-jacent sert de première limite au guide d'onde et le réseau sus-jacent sert de deuxième limite. Des électrodes du photodétecteur sont disposées dans le silicium qui les place à proximité immédiate des porteuses qui sont générées par la lumière pénétrant dans le guide d'onde en silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)