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1. (WO2002091461) DEPOT ET GRAVURE EN PHASE VAPEUR PHYSIQUE IONISEE EN PHASES SUCCESSIVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091461    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014145
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 03.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.11.2002    
CIB :
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP) (Tous Sauf US).
TOKYO ELECTRON ARIZONA, INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road, Gilbert, AZ 85233-8205 (US) (JP only).
YASAR, Tugrul [US/US]; (US) (US Seulement).
REYNOLDS, Glyn [US/US]; (US) (US Seulement).
CERIO, Frank [US/US]; (US) (US Seulement).
GITTLEMAN, Bruce [US/US]; (US) (US Seulement).
GRAPPERHAUS, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
ROBISON, Rodney [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YASAR, Tugrul; (US).
REYNOLDS, Glyn; (US).
CERIO, Frank; (US).
GITTLEMAN, Bruce; (US).
GRAPPERHAUS, Michael; (US).
ROBISON, Rodney; (US)
Mandataire : FREI, Donald, F.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US).
WISE, Lloyd; Commonwealth House, 1-19 New Oxford Street, London WC1A 1LW (GB)
Données relatives à la priorité :
60/288,952 04.05.2001 US
Titre (EN) IONIZED PVD WITH SEQUENTIAL DEPOSITION AND ETCHING
(FR) DEPOT ET GRAVURE EN PHASE VAPEUR PHYSIQUE IONISEE EN PHASES SUCCESSIVES
Abrégé : front page image
(EN)An iPVD apparatus (20) is programmed to deposit material (10) into high aspect ratio submicron features (11) on semiconductor substrates (21) by cycling between deposition and etch modes within a vacuum chamber (30). The modes operate at different power and pressure parameters. Pressure of more than 50 mTorr, for example, is used for sputtering material from a target while pressure of less than a few mTorr, for example, is used to etch. Bias power on the substrate is an order of magnitude higher for etching, producing several hundred volt bias for etching, but only a few tens of volts for deposition. The alternating etching modes remove deposited material that overhangs edges of features on the substrate, removes some of the deposited material from the bottoms (15) of the features, and resputters the removed deposited material onto sidewalls (16) of the features. The substrate (21) is cooled during deposition and etching, and particularly during etching to substantially below 0°C. RF energy is coupled into the chamber (30) to form a high density plasma, with substantially higher RF power coupled during deposition than during etching. The substrate (21) is moved closer to the plasma source during etching than during deposition.
(FR)Cette invention concerne un appareil de dépôt physique en phase vapeur (20) qui est programmé pour déposer un matériau (10) sur des caractéristiques (11) sub-micron à rapport de forme élevé de substrats de semi-conducteur (21) en passant alternativement du mode dépôt au mode gravure dans une chambre à vide (30). ces modes font intervenir des paramètres de puissance et de pression différents. On utilise, par exemple, une pression supérieure à 50 mTorr pour pulvériser un matériel à partir d'une cible, contre moins de quelque mTorr, pour la gravure. La tension de polarisation est plus élevé pour la gravure, de l'ordre de plusieurs centaines de volts, contre quelques dizaines de volts seulement pour le dépôt. L'alternance de modes de gravure permet de retire le matériau qui dépassent des bords des zones considérées du substrat ainsi qu'une partie du matériau déposé dans les creux (15), et de repulvériser le matériau retiré sur les parois (16) desdites zones. Le substrat (21) est refroidi pendant les phases de dépôt et de gravure, en particulier pendant le travail de gravure à des températures nettement inférieures à 0 °C. L'énergie HF est couplée dans la chambre (30) pour former un plasma haute densité, avec une puissance HF sensiblement plus élevée pendant le dépôt que pendant la gravure. Le substrat (21) est disposé plus près de la source de plasma pendant la gravure que pendant le dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)