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1. (WO2002091448) DISPOSITIF DE CROISSANCE A PHASE GAZEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091448    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/002378
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 13.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.03.2002    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C30B 35/00 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HASEBE, Kazuhide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UMEHARA, Takahito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAKAMI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HASEBE, Kazuhide; (JP).
YAMAMOTO, Hiroyuki; (JP).
UMEHARA, Takahito; (JP).
KAWAKAMI, Masato; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-128068 25.04.2001 JP
Titre (EN) GASEOUS PHASE GROWING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CROISSANCE A PHASE GAZEUSE
Abrégé : front page image
(EN)A gaseous phase growing device, comprising a reaction container for disposing a substrate therein, a first gas inlet part having a first gas inlet pipe with a gas jetting port opening in the reaction container formed therein and feeding the first gas formed with organic metal-containing gas into the reaction container, and a second gas inlet part having a second gas inlet pipe with a gas jetting port opening in the reaction container formed therein and feeding the second gas reacting to the organic metal-containing gas and having a density less than that of the organic metal-containing into the reaction container, wherein the gas jetting port of the first gas inlet pipe and the gas jetting port of the second gas inlet pipe are disposed along the outer periphery of a substrate disposed in the reaction container.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de croissance à phase gazeuse comprenant un récipient de réaction destiné à contenir un substrat, une première partie d'entrée de gaz présentant un premier tuyau d'admission de gaz, un orifice de jet étant pratiqué dans le conteneur de réaction et assurant l'acheminement du gaz constitué d'un gaz contenant un métal organique présent dans le récipient de réaction. Ledit dispositif comprend également une seconde partie d'admission de gaz présentant un second tuyau, un orifice de jet étant pratiqué dans le récipient de réaction et acheminant le second gaz réagissant au gaz contenant un métal organique. Ce second gaz a une densité inférieure à celle du gaz contenant un métal organique présent dans le récipient de réaction. L'orifice de jet du premier tuyau et l'orifice de jet du second tuyau sont disposés le long du pourtour extérieur d'un substrat déposé dans le récipient de réaction.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)