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1. (WO2002091437) BARRIERE TI-SI-N PAR CVD DESTINEE A L'INTEGRATION DU CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091437    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014056
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 06.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.12.2002    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : CHEN, Ling; (US).
MARCADAL, Christophe; (US).
YOON, Hyungsuk, A.; (US)
Mandataire : TACKETT, Keith, M.; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
09/851,519 07.05.2001 US
Titre (EN) TISIN BARRIER FORMATION WITH TREATMENT IN N2/H2 PLASMA AND IN SILANE
(FR) BARRIERE TI-SI-N PAR CVD DESTINEE A L'INTEGRATION DU CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of forming a titanium silicon nitride barrier layer on a semiconductor wafer, comprising the steps of depositing a titanium nitride layer on the semiconductor wafer; plasma-treating the titanium nitride layer in a N¿2?/H¿2? plasma; and exposing the plasma-treated titanium nitride layer to a silane ambient, wherein silicon is incorporated into the titanium nitride layer as silicon nitride thereby forming a titanium silicon nitride barrier layer. Additionally, there is provided a method of improving the barrier performance of a titanium nitride layer comprising the step of introducing silicon into the titanium nitride layer such that the silicon is incorporated into the titanium nitride layer as silicon nitride. Also provided is a method of integrating copper into a semiconductor device and a method of improving copper wettability at a copper/titanium nitride interface in a semiconductor device.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former une couche barrière en nitrure de titane silicium sur une galette de semi-conducteur, y compris le dépôt d'une couche de nitrure de titane silicium sur la galette de semi-conducteur, le traitement au plasma de la couche de nitrure de titane silicium dans un plasma N¿2?/H¿2? et l'exposition de la couche de nitrure de titane silicium à un environnement de silane, du silicium étant incorporé sous forme de nitrure de silicium dans la couche de nitrure de titane, ce qui permet de forme une couche barrière de nitrure de titane silicium. En outre, l'invention concerne un procédé pour améliorer les performances de barrière de la couche de nitrure de titane silicium, y compris l'introduction de silicium dans la couche de nitrure de silicium qui se fait de manière à intégrer du silicium dans la couche de nitrure de titane sous la forme de nitrure de silicium. L'invention concerne aussi un procédé pour intégrer du cuivre dans un dispositif semi-conducteur et un procédé pour améliorer la mouillabilité sur une interface cuivre / titane dans un dispositif semi-conducteur.
États désignés : JP.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)