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1. (WO2002091080) COUCHE DE FOND ANTI-REFLETS ORGANIQUE POUR IMAGERIE OPTIQUE HAUTE PERFORMANCE DESTINEE A LA FABRICATION DE PHOTOMASQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/091080 N° de la demande internationale : PCT/US2002/013968
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 02.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 15.11.2002
CIB :
G03F 1/46 (2012.01) ,G03F 1/76 (2012.01) ,G03F 7/09 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
38
Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
46
Couches antiréfléchissantes
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
76
Création des motifs d'un masque par imagerie
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; P.O. Box 450A Santa Clara, CA 95052, US
Inventeurs : MONTGOMERY, Melvin, W.; US
ALBELO, Jeffrey, A.; US
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité :
09/848,85903.05.2001US
Titre (EN) ORGANIC BOTTOM ANTIREFLECTIVE COATING FOR HIGH PERFORMANCE MASK MAKING OPTICAL IMAGING
(FR) COUCHE DE FOND ANTI-REFLETS ORGANIQUE POUR IMAGERIE OPTIQUE HAUTE PERFORMANCE DESTINEE A LA FABRICATION DE PHOTOMASQUES
Abrégé :
(EN) The disclosure pertains to a method of optically fabricating a photomask using a direct write continuous wave laser, comprising a series of steps including applying an organic antireflection coating over a chrome-containing layer; applying a chemically-amplified DUV photoresist over the organic antireflection coating; and exposing a surface of the DUV photoresist to the direct write continuous wave laser. The direct write continuous wave laser operates at a wavelength of 244 nm or 257 nm. In an alternative embodiment, the organic antireflection coating may be applied over an inorganic antireflection coating which overlies the chrome containing layer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication optique d'un photomasque à l'aide d'un laser continu à écriture directe, comprenant une série d'étapes consistant à appliquer une couche anti-reflets organique par dessus une couche à teneur en chrome; à appliquer une résine photosensible à ultraviolet lointain chimiquement amplifiée par dessus la couche anti-reflets organique; puis à exposer une surface de la résine photosensible audit laser continu. Le laser continu à écriture directe fonctionne à une longueur d'onde égale à 244 nm ou à 257 nm. Dans un mode de réalisation différent, la couche anti-reflets organiques peut être appliquée par dessus une couche anti-reflets inorganique recouvrant la couche à teneur en chrome.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)