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1. (WO2002090917) DISPOSITIF DE FUITE TEST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/090917    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/004902
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 04.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.11.2002    
CIB :
G01M 3/00 (2006.01), G01M 3/20 (2006.01)
Déposants : INFICON GmbH [DE/DE]; Bonner Straße 498, D-50968 Köln (DE) (Tous Sauf US).
GERDAU, Ludolf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WIDT, Rudi [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GERDAU, Ludolf; (DE).
WIDT, Rudi; (DE)
Mandataire : SELTING, Günther; Deichmannhaus am Dom, D-50667 Köln (DE)
Données relatives à la priorité :
101 22 733.7 10.05.2001 DE
Titre (DE) TESTLECKVORRICHTUNG
(EN) TEST-LEAKAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FUITE TEST
Abrégé : front page image
(DE)Eine Testleckvorrichtung weist einen Testgasspeicher (12) und einen Testgasauslass (16) auf, der von einer Membran (30) aus Silizium-Oxid verschlossen ist. Ferner ist eine Heizvorrichtung zum Beheizen der Silizium-Oxid-Scheibe (32) vorgesehen. Die Durchlässigkeit für kleinmolekulare Gase ist bei Silizium-Oxid im Wesentlichen von seiner Temperatur abhängig, so dass sich durch Beheizen der Silizium-Oxid-Membran die Leckrate der Testleckvorrichtung verändern und steuern lässt.
(EN)The invention relates to a test-leakage device comprising a tracer gas reservoir (12) and a tracer gas outlet (16), which is sealed by a membrane (30) consisting of silicon oxide. A heating device for heating the silicon oxide disc (32) is also provided. The permeability of silicon oxide to low-molecular gases is essentially dependent on its temperature, so that the leak rate of the test-leakage device can be modified and controlled by heating the silicon oxide membrane.
(FR)Un dispositif de fuite test présente un réservoir de gaz traceur (12) et une sortie de gaz traceur (16) fermée par une membrane (30) en oxyde de silicium. L'invention concerne également un dispositif chauffant permettant de chauffer le disque d'oxyde de silicium (32). S'agissant de l'oxyde de silicium, la perméabilité au gaz à faible poids moléculaire dépend principalement de sa température, si bien que le chauffage de la membrane d'oxyde de silicium permet de modifier et de commander le débit de fuite du dispositif de fuite test.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)