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1. (WO2002089276) LASER A EMISSION PAR LA SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/089276    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/006293
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 01.03.2002
CIB :
H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/18 (2006.01)
Déposants : JIANG, Wenbin [US/US]; (US).
SHIEH, Chan-Long [US/US]; (US).
LEE, Hsing-Chung [US/US]; (US).
SUN, Xiqing [CN/US]; (US)
Inventeurs : JIANG, Wenbin; (US).
SHIEH, Chan-Long; (US).
LEE, Hsing-Chung; (US).
SUN, Xiqing; (US)
Mandataire : PARSONS, Robert, A.; 340 East Palm Ln Suite 260 Phoenix, AZ 85004 (US)
Données relatives à la priorité :
09/842,507 26.04.2001 US
Titre (EN) SURFACE EMITTING LASER
(FR) LASER A EMISSION PAR LA SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A surface emitting diode (10), such as a laser (10), including an active region (16) positioned between first (15)and second (17) semiconductor layers and extending longitudinally. The active region (16) and at least portions of the first (15) and second (17) semiconductor layers defining first (21) and second (20) facets positioned at opposite ends of the length with the first facet (21) defining a light output for the active region (16). The active region (16) is adjusted to emit a single mode of light. A reflective element (25) is positioned adjacent to the first facet (21) and at an angle with the first facet (21) for receiving light output from the active region (16) and directing the light perpendicular to the active region (16).
(FR)L'invention concerne une diode à émission par la surface (10), telle qu'un laser (10), comprenant une région active (16) positionnée entre des première (15) et seconde (17) couches semi-conductrices et s'étendant longitudinalement. La région active (16) et au moins des parties des première (15) et seconde (17) couches semi-conductrices définissent des première (21) et seconde (20) facettes positionnées à des extrémités opposées de la longueur, la première facette (21) définissant une sortie lumineuse pour la région active (16). Celle-ci (16) est adaptée de manière à émettre un mode unique de rayonnement. Un élément réfléchissant (25) est positionné de manière adjacente par rapport à la première facette (21) et de manière à former un angle avec la première facette (21), afin de recevoir une sortie lumineuse de la région active (16) et de diriger le rayonnement de manière perpendiculaire par rapport à la région active (16).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)