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1. (WO2002089204) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/089204    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003617
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
CIB :
H01L 23/50 (2006.01)
Déposants : NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. [JP/JP]; 5-13, Nishishiromachi 2-chome Jyoetsu-shi, Niigata 943-0834 (JP) (Tous Sauf US).
IKEDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAGI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKEDA, Takeshi; (JP).
MIYAGI, Hiroshi; (JP)
Mandataire : TACHIBANA, Kazuyuki; 87-64, Oaza-Shimoshingashi Kawagoe-shi, Saitama 350-1136 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-116416 16.04.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An IC chip (1) is mounted astride a first conductor section (11) and a second conductor section (12) of a printed circuit board (20), and the conductor sections (11, 12) are grounded to cause the current from an analog circuit (2) based on a potential difference generated in a silicon substrate (6) of the IC chip (1) to flow from the conductor section (11) through the silicon substrate (6) into the ground, and the current from a digital circuit (3) to flow from the conductor section (12) through the silicon substrate (6) into the ground. Thus, the current from the analog circuit (2) and the current from the digital circuit (3) are prevented from mixing through the silicon substrate (6).
(FR)L'invention concerne un microcircuit intégré (1) monté chevauchant sur une première partie conductrice (11) et une deuxième partie conductrice (12) d'une carte de circuits imprimés (20). Ces parties conductrices (11, 12) sont mises à la terre de sorte que le courant provenant d'un circuit analogique (2) basé sur une différence de potentiel créée dans le substrat silicium (6) du microcircuit intégré (1) passe de la première partie conductrice (11), à travers le substrat silicium (6), jusqu'à la terre, et que le courant provenant d'un circuit numérique (3) passe de la deuxième partie conductrice (12), à travers le substrat silicium (6), jusqu'à la terre. Le courant provenant du circuit analogique (2) et le courant provenant du circuit numérique (3) ne peuvent ainsi pas se mélanger à travers le substrat silicium (6).
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)