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1. WO2002089198 - PROCEDE POUR REGULER UN APPAREIL DE PROCESSUS SERVANT AU TRAITEMENT SEQUENTIEL DE PLAQUETTES DE SEMICONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2002/089198
Date de publication 07.11.2002
N° de la demande internationale PCT/DE2002/001563
Date du dépôt international 29.04.2002
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G03F 7/70525
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control, prediction of failure
G03F 7/70625
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70625Pattern dimensions, e.g. line width, profile, sidewall angle, edge roughness
G03F 7/70633
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70633Overlay
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE]
Inventeurs
  • SCHEDEL, Thorsten
  • SCHUMACHER, Karl
  • FISCHER, Thomas
  • HOMMEN, Heiko
  • OTTO, Ralf
  • SCHMIDT, Sebastian
Mandataires
  • EPPING, HERMANN & FISCHER
Données relatives à la priorité
101 20 701.827.04.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR STEUERUNG EINES PROZESSGERÄTES ZUR SEQUENTIELLEN VERARBEITUNG VON HALBLEITERWAFERN
(EN) METHOD FOR CONTROLLING A PROCESS DEVICE FOR SEQUENTIAL PROCESSING OF SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDE POUR REGULER UN APPAREIL DE PROCESSUS SERVANT AU TRAITEMENT SEQUENTIEL DE PLAQUETTES DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé
(DE)
Während ein erster bereits in einem Prozeßgerät (1) prozessierter vorauslaufender Halbleiterwafer (11) eines Loses oder Batches in einem Mikroskopmeßgerät (2) auf Werte für die Strukturparameter (30) gemessen wird, wird ein zweiter oder weitere Halbleiterwafer (12) des Loses in dem Prozeßgerät (1) prozessiert. Ein Ergebnissignal (100) meldet eine beispielsweise erfolgreich verlaufene Inspektion des ersten Wafers, so daß die nachfolgenden Wafer (12) nicht mehr inspiziert zu werden brauchen. Mit den Meßergebnissen werden automatisch die Prozeßparameter (31) des Prozeßgerätes (1) nachgeregelt. Ereignisse wie Wartungsarbeiten oder Parameterdrifts in Trendkarten etc. werden in Steuereinheiten (8 bzw. 9) detektiert und führen über die Ausgabe eines Ereignissignals (102) z.B. in einer Ereignisdatenbank (40) zur ereignisbezogenen Auswahl von zu messenden Strukturparametern (30') und/oder zur Initiierung eines vorauslaufenden Wafers (11). Mit einer Steuereinheit (8) detektierte Grenzwertverletzungen (21) wenigstens eines Prozeßparameters (31) werden mit einem Warnsignal (101) beantwortet und ebenfalls in die Ereignisdatenbank (40) gespeist.
(EN)
While the first forward processed semiconductor wafer (11) of a batch in a process device (1) is measured for values for structural parameters (30), a second or other semiconductor wafers (12) of the batch is/are processed in said process device (1). A result signal (100) indicates a successfully conducted inspection of the first wafer for example, whereupon the subsequent wafers (12) do not need to be examined. The process parameters (31) of the process device (1) are automatically adjusted according to the measuring results. Events such as maintenance or parameter drift in trend cards etc. are detected in control units (8 or 9) and lead to event-related selection of the structural parameters (30') and/or initiation of a forward wafer (11) by outputting an event signal (102) e.g. in an event data bank (40).A warning signal (101) is issued by a control unit (8) in response to detected threshold value infringements (21) for at least one process parameter (31) and is also fed into the event data base (40).
(FR)
Selon l'invention, pendant que des valeurs de paramètres structurels (30) d'une première plaque de semiconducteur (11) d'un lot, déjà traitée dans un appareil de processus (1), sont mesurées dans un appareil à microscope (2), une deuxième ou une autre plaquette de semiconducteur (12) du lot est traitée dans l'appareil de processus (1). Un signal de résultat (100) indique qu'une vérification de la première plaquette s'est déroulée par exemple avec succès, de sorte que les plaquettes suivantes (12) n'ont plus besoin d'être vérifiées. Les résultats de mesure permettent de réajuster automatiquement les paramètres de processus (31) de l'appareil de processus (1). Des événements, tels que des opérations de maintenance ou des dérives de paramètres dans des cartes de tendances etc., sont détectés dans des unités de régulation (8 ou 9) et entraînent, par l'intermédiaire de la sortie d'un signal d'événement (102) par ex. dans une base de données d'événements (40), la sélection, en fonction de l'événement, de paramètres structurels (30') à mesurer et/ou l'avancement d'une première plaquette (11). Lorsqu'une unité de régulation (8) détecte un écart par rapport à une valeur seuil (21) d'au moins un paramètre de processus (31), un signal d'alerte (101) est généré en réaction et cet événement est entré dans la base de données d'événements (40).
Également publié en tant que
GB0228420.6
GBGB0228420.6
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