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1. (WO2002089198) PROCEDE POUR REGULER UN APPAREIL DE PROCESSUS SERVANT AU TRAITEMENT SEQUENTIEL DE PLAQUETTES DE SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/089198    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/001563
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 29.04.2002
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München (DE)
Inventeurs : SCHEDEL, Thorsten; (DE).
SCHUMACHER, Karl; (DE).
FISCHER, Thomas; (DE).
HOMMEN, Heiko; (DE).
OTTO, Ralf; (DE).
SCHMIDT, Sebastian; (DE)
Mandataire : EPPING, HERMANN & FISCHER; Ridlerstr. 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
101 20 701.8 27.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR STEUERUNG EINES PROZESSGERÄTES ZUR SEQUENTIELLEN VERARBEITUNG VON HALBLEITERWAFERN
(EN) METHOD FOR CONTROLLING A PROCESS DEVICE FOR SEQUENTIAL PROCESSING OF SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) PROCEDE POUR REGULER UN APPAREIL DE PROCESSUS SERVANT AU TRAITEMENT SEQUENTIEL DE PLAQUETTES DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(DE)Während ein erster bereits in einem Prozeßgerät (1) prozessierter vorauslaufender Halbleiterwafer (11) eines Loses oder Batches in einem Mikroskopmeßgerät (2) auf Werte für die Strukturparameter (30) gemessen wird, wird ein zweiter oder weitere Halbleiterwafer (12) des Loses in dem Prozeßgerät (1) prozessiert. Ein Ergebnissignal (100) meldet eine beispielsweise erfolgreich verlaufene Inspektion des ersten Wafers, so daß die nachfolgenden Wafer (12) nicht mehr inspiziert zu werden brauchen. Mit den Meßergebnissen werden automatisch die Prozeßparameter (31) des Prozeßgerätes (1) nachgeregelt. Ereignisse wie Wartungsarbeiten oder Parameterdrifts in Trendkarten etc. werden in Steuereinheiten (8 bzw. 9) detektiert und führen über die Ausgabe eines Ereignissignals (102) z.B. in einer Ereignisdatenbank (40) zur ereignisbezogenen Auswahl von zu messenden Strukturparametern (30') und/oder zur Initiierung eines vorauslaufenden Wafers (11). Mit einer Steuereinheit (8) detektierte Grenzwertverletzungen (21) wenigstens eines Prozeßparameters (31) werden mit einem Warnsignal (101) beantwortet und ebenfalls in die Ereignisdatenbank (40) gespeist.
(EN)While the first forward processed semiconductor wafer (11) of a batch in a process device (1) is measured for values for structural parameters (30), a second or other semiconductor wafers (12) of the batch is/are processed in said process device (1). A result signal (100) indicates a successfully conducted inspection of the first wafer for example, whereupon the subsequent wafers (12) do not need to be examined. The process parameters (31) of the process device (1) are automatically adjusted according to the measuring results. Events such as maintenance or parameter drift in trend cards etc. are detected in control units (8 or 9) and lead to event-related selection of the structural parameters (30') and/or initiation of a forward wafer (11) by outputting an event signal (102) e.g. in an event data bank (40).A warning signal (101) is issued by a control unit (8) in response to detected threshold value infringements (21) for at least one process parameter (31) and is also fed into the event data base (40).
(FR)Selon l'invention, pendant que des valeurs de paramètres structurels (30) d'une première plaque de semiconducteur (11) d'un lot, déjà traitée dans un appareil de processus (1), sont mesurées dans un appareil à microscope (2), une deuxième ou une autre plaquette de semiconducteur (12) du lot est traitée dans l'appareil de processus (1). Un signal de résultat (100) indique qu'une vérification de la première plaquette s'est déroulée par exemple avec succès, de sorte que les plaquettes suivantes (12) n'ont plus besoin d'être vérifiées. Les résultats de mesure permettent de réajuster automatiquement les paramètres de processus (31) de l'appareil de processus (1). Des événements, tels que des opérations de maintenance ou des dérives de paramètres dans des cartes de tendances etc., sont détectés dans des unités de régulation (8 ou 9) et entraînent, par l'intermédiaire de la sortie d'un signal d'événement (102) par ex. dans une base de données d'événements (40), la sélection, en fonction de l'événement, de paramètres structurels (30') à mesurer et/ou l'avancement d'une première plaquette (11). Lorsqu'une unité de régulation (8) détecte un écart par rapport à une valeur seuil (21) d'au moins un paramètre de processus (31), un signal d'alerte (101) est généré en réaction et cet événement est entré dans la base de données d'événements (40).
États désignés : GB.
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)