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1. (WO2002089167) EMETTEUR PAR EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/089167    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/012257
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 16.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.11.2002    
CIB :
H01J 1/312 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD COMPANY [US/US]; 3000 Hanover Street, M/S 20BN, Palo Alto, CA 94304-1112 (US)
Inventeurs : CHEN, Zhizhang; (US).
REGAN, Michael J.; (US).
BOLF, Brian E.; (US).
NOVET, Thomas; (US).
BENNING, Paul; (US).
JOHNSTONE, Mark Alan; (US).
RAMAMOORTHI, Sriram; (US)
Mandataire : MYERS, Timothy F.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, 3404 E. Harmony Road, m/s 35, Fort Collins, CO 80525-9599 (US)
Données relatives à la priorité :
09/846,127 30.04.2001 US
Titre (EN) TUNNELING EMITTER
(FR) EMETTEUR PAR EFFET TUNNEL
Abrégé : front page image
(EN)An emitter (50,100) has an electron supply layer (10) and a tunneling layer (20) formed on the electron supply layer. Optionally, an insulator layer (78) is formed on the electron supply layer and has openings defined within in which the tunneling layer is formed. A cathode layer (14) is formed on the tunneling layer to provide a surface for energy emissions (22) of electrons (16) and/or photons (18). Preferably, the emitter is subjected to an annealing process (120,122) thereby increasing the supply of electrons tunneled from the electron supply layer to the cathode layer.
(FR)Un émetteur (50, 100) comprend une couche d'alimentation en électrons (10) et une couche tunnel (20) formée sur la couche d'alimentation en électrons (10). En variante, une couche d'isolant (78) est formée sur la couche d'alimentation en électrons et comprend des ouvertures à l'intérieur desquelles est formée la couche tunnel. Une couche de cathode (14) est formée sur la couche tunnel afin de servir de surface destinée à l'émission d'énergie (22) des électrons (16) et/ou des photons (18). De préférence, l'émetteur est soumis au recuit (120,122), ce qui a pour effet d'augmenter l'alimentation en électrons se déplaçant par effet tunnel depuis la couche d'alimentation en électrons vers la couche de cathode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)