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1. (WO2002088800) CIRCUIT INTEGRE PHOTONIQUE (CIP) ET PROCEDES DE PRODUCTION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/088800    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/013416
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 26.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.11.2002    
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/125 (2006.01), G02B 6/132 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01)
Déposants : SARNOFF CORPORATION [US/US]; 201 Washington Road, CN 5300, Princeton, NJ 08543-5300 (US)
Inventeurs : YANG, Liyou; (US).
WHALEY, Ralph; (US).
LEE, Tien Pei; (US)
Mandataire : McWILLIAMS, Thomas, J.; Reed Smith LLP, 2500 One Liberty Place, 1650 Market Street, Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
60/287,277 27.04.2001 US
  26.04.2002 US
Titre (EN) PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT (PIC) AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) CIRCUIT INTEGRE PHOTONIQUE (CIP) ET PROCEDES DE PRODUCTION DE CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)A photonic integrated circuit (10) including: at least one photonic component (30) being suitable for operation with a plurality of photons and including an operational material having a bandgap energy close to the photons; and, at least one photonic component (50) being suitable for operation with the plurality of photons, including an operational material having a bandgap energy substantially higher than the photons and being adjacent to the at least one photonic component (30) including an operational material having a bandgap energy close to the energy of the photons. The at least one photonic component (50) including an operational material having a bandgap energy substantially higher than the photons includes at least one amorphous silicon alloy material.
(FR)La présente invention concerne un circuit intégré photonique (10) comprenant : au moins un élément photonique (30) qui est capable de fonctionner avec une pluralité de photons et qui comprend un matériau fonctionnel dont la largeur de bande interdite est proche de l'énergie des photons, et au moins un élément photonique (50) qui est capable de fonctionner avec les multiples photons, comprend un matériau fonctionnel dont la largeur de bande interdite est sensiblement supérieure à l'énergie des photons et qui se trouve adjacent audit élément photonique (30) comprenant un matériau fonctionnel dont la largeur de bande interdite est proche de l'énergie des photons. Le ou les éléments photoniques (50) comprenant un matériau fonctionnel dont la largeur de bande interdite est sensiblement supérieure à l'énergie des photons comprend/comprennent au moins un matériau en alliage de silicium amorphe.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)