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1. (WO2002088699) PROCEDE DE FABRICATION D'UN FILTRE DE DIFFUSION DE GAZ FAISANT INTERVENIR UN CAPTEUR DE GAZ PHOTOACOUSTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/088699    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/004286
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 26.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.11.2002    
CIB :
G01N 21/17 (2006.01), G01N 29/02 (2006.01), G01N 29/24 (2006.01)
Déposants : YAMATAKE CORPORATION [JP/JP]; 12-19, Shibuya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-8316 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
FUJIWARA, Hisatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIHARA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJIWARA, Hisatoshi; (JP).
HONDA, Nobuaki; (JP).
KIHARA, Takashi; (JP)
Mandataire : NAGATO, Kanji; 5F, SKK Bldg., 8-1, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-132484 27.04.2001 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR PHOTOACOUSTIC GAS SENSOR-USE GAS DIFFUSION FILTER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN FILTRE DE DIFFUSION DE GAZ FAISANT INTERVENIR UN CAPTEUR DE GAZ PHOTOACOUSTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A production method capable of simply and with a good controllability mass-producing a gas diffusion filter stabilized in filter characteristics, the method comprising the steps of anodizing those portions of a gas stream passage (14) where the cavities of a photoacoustic gas sensor are to be formed in an Si chip (11) to form porous silicon layers (13) that work as a gas diffusion filter integrally formed inside the gas stream passage, and selectively removing by etching the porous silicon layer to use the remaining portion of the porous silicon layer as a gas diffusion filter.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à la fabrication en masse simple et aisément contrôlable d'un filtre de diffusion de gaz présentant des caractéristiques de filtre stabilisées. Ledit procédé consiste à anodiser les parties d'un passage de flux de gaz (14) destinées à recevoir des cavités d'un capteur de gaz photoacoustique dans une puce Si (11), de manière à former des couches de silicium poreuses (13) servant de filtre de diffusion de gaz formé d'un bloc à l'intérieur du passage de flux de gaz. Ledit procédé consiste par ailleurs à retirer sélectivement ladite couche de silicium poreuse par gravure de manière à utiliser la partie restante de la couche de silicium poreuse en tant que filtre de diffusion de gaz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)