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1. (WO2002088654) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR, NOTAMMENT CAPTEUR DE PRESSION MICROMECANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/088654    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/001151
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 28.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.10.2002    
CIB :
G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
JUNGER, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BENZEL, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ESCHRICH, Heinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NITSCHE, Juergen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHAEFER, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
VOSSENBERG, Heinz-Georg [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : JUNGER, Andreas; (DE).
BENZEL, Hubert; (DE).
ESCHRICH, Heinz; (DE).
NITSCHE, Juergen; (DE).
SCHAEFER, Frank; (DE).
VOSSENBERG, Heinz-Georg; (DE)
Données relatives à la priorité :
101 21394.8 02.05.2001 DE
Titre (DE) HALBLEITERBAUELEMENT, INSBESONDERE EIN MIKROMECHANISCHER DRUCKSENSOR
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT, PARTICULARLY A MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR, NOTAMMENT CAPTEUR DE PRESSION MICROMECANIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft insbesondere ein Halbleiterbauelement, wie insbesondere ein mikromechanischer Drucksensor (200), mit einer Membranelektrode (206), einem unter der Membran befindlichen Hohlraum (208) und einer unter der Membran befindlichen Bodenelektrode (202, 203). Um die Zuverlässigkeit des Halbleiterbauelements zu erhöhen, ist erfindungsgemäss insbesondere eine aus einer ersten und einer zweiten Elektrode (202, 203) bestehende Bodenelektrode vorgesehen, wobei die zweite Elektrode (203) die erste Elektrode (202) weitgehend umschliesst.
(EN)The invention relates to, in particular, a semiconductor component, particularly a micromechanical pressure sensor (200), comprising a membrane electrode (206), a cavity (208), which is located underneath the membrane, and a bottom electrode (202, 203), which is also located underneath the membrane. In order to improve the reliability of the semiconductor component, the invention provides, in particular, a bottom electrode that is comprised of a first and a second electrode (202, 203), whereby the second electrode (203) surrounds the first electrode (202) to a large extent.
(FR)La présente invention concerne un composant semi-conducteur, notamment un capteur de pression micromécanique (200), qui comprend une électrode membranaire (206), une cavité (208) se trouvant sous cette membrane, ainsi qu'une électrode de masse (202, 203) se trouvant également sous la même membrane. Afin d'améliorer la fiabilité de ce composant semi-conducteur, ce dernier est pourvu d'une électrode de masse constituée d'une première électrode (202) et d'une seconde électrode (203), ladite seconde électrode (203) entourant dans une large mesure ladite première électrode (202).
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)