(EN) A target assembly for a physical vapor deposition system having a target material flux region (416) which produces backscatter particles and a substrate support assembly is provided. In one embodiment, the target assembly comprises a central region (403) and a flange (404) radially extending from the central region. The flange is constructed of a first material and is adapted to support the target assembly within the physical vapor deposition system in a parallel spaced apart relation to the substrate support assembly. A flange cover member (407) is disposed between the flange and the flux region. The flange cover member is constructed of a material having a greater adhesiveness to the backscatter particles than the first material and is permanently secured to the flange. A target member (411) constructed of a sputterable material is disposed between the central region of the target assembly and the flux region of the physical vapor deposition system.
(FR) L'invention concerne un ensemble cible pour système de dépôt physique en phase vapeur présentant une région de flux (416) de la matière de la cible, laquelle produit des particules de rétrodiffusion, ainsi qu'un ensemble support de substrat. Dans un mode de réalisation, l'ensemble cible comprend une région centrale (403) et un rebord (404) qui s'étend radialement à partir de ladite région centrale. Ce rebord est constitué d'une première matière et est conçu pour soutenir l'ensemble cible à l'intérieur du système de dépôt physique en phase vapeur parallèlement et à une certaine distance du substrat et de la région de flux. L'élément recouvrant le rebord présente, vis-à-vis des particules de rétrodiffusion, une adhésivité plus grande que celle présentée par la première matière et il est fixé en permanence au rebord. Un élément cible (411) constitué d'un matériau pulvérisable est placé entre la région centrale de l'ensemble cible et la région de flux du système de dépôt physique en phase vapeur.