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1. WO2002088416 - PLAQUE DORSALE DE CIBLE MULTIMATIERE

Numéro de publication WO/2002/088416
Date de publication 07.11.2002
N° de la demande internationale PCT/US2002/013841
Date du dépôt international 30.04.2002
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
H01J 37/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34fonctionnant par pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/3407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
H01J 2237/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
02Details
022Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
H01J 37/32871
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32853Hygiene
32871Means for trapping or directing unwanted particles
H01J 37/3435
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • VAN GOGH, James
Mandataires
  • KONRAD, William, K.
Données relatives à la priorité
09/846,74201.05.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-MATERIAL TARGET BACKING PLATE
(FR) PLAQUE DORSALE DE CIBLE MULTIMATIERE
Abrégé
(EN)
A target assembly for a physical vapor deposition system having a target material flux region (416) which produces backscatter particles and a substrate support assembly is provided. In one embodiment, the target assembly comprises a central region (403) and a flange (404) radially extending from the central region. The flange is constructed of a first material and is adapted to support the target assembly within the physical vapor deposition system in a parallel spaced apart relation to the substrate support assembly. A flange cover member (407) is disposed between the flange and the flux region. The flange cover member is constructed of a material having a greater adhesiveness to the backscatter particles than the first material and is permanently secured to the flange. A target member (411) constructed of a sputterable material is disposed between the central region of the target assembly and the flux region of the physical vapor deposition system.
(FR)
L'invention concerne un ensemble cible pour système de dépôt physique en phase vapeur présentant une région de flux (416) de la matière de la cible, laquelle produit des particules de rétrodiffusion, ainsi qu'un ensemble support de substrat. Dans un mode de réalisation, l'ensemble cible comprend une région centrale (403) et un rebord (404) qui s'étend radialement à partir de ladite région centrale. Ce rebord est constitué d'une première matière et est conçu pour soutenir l'ensemble cible à l'intérieur du système de dépôt physique en phase vapeur parallèlement et à une certaine distance du substrat et de la région de flux. L'élément recouvrant le rebord présente, vis-à-vis des particules de rétrodiffusion, une adhésivité plus grande que celle présentée par la première matière et il est fixé en permanence au rebord. Un élément cible (411) constitué d'un matériau pulvérisable est placé entre la région centrale de l'ensemble cible et la région de flux du système de dépôt physique en phase vapeur.
Également publié en tant que
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