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1. (WO2002088267) PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM EPAIS A BASE DE SILICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/088267    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003957
Date de publication : 07.11.2002 Date de dépôt international : 19.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.10.2002    
CIB :
C08G 77/08 (2006.01), C09D 183/02 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0054 (JP) (Tous Sauf US).
MOTOYAMA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKADA, Takakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURUSHO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKURO, Hiroyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MOTOYAMA, Kenichi; (JP).
NAKADA, Takakazu; (JP).
FURUSHO, Hitoshi; (JP).
FUKURO, Hiroyoshi; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg., 38, Kanda-Higashimatsushitacho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-125339 24.04.2001 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING THICK SILICA-BASED FILM
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM EPAIS A BASE DE SILICE
Abrégé : front page image
(EN)A method of easily and efficiently forming on a substrate a silica-based coating film having a thickness of 0.5 to 5 $g(m)m; the coating film; a coating fluid for forming the film; and a process for producing the coating fluid. The method of forming a silica-based coating film is characterized by heating a reaction mixture comprising at least either of (A) a silicon compound represented by Si(OR)4 and (B) a silicon compound represented by R1nSi(OR2)4-n (wherein n is an integer of 1 to 3), (C) an alcohol represented by R3CH2OH, and (D) oxalic acid in a specific proportion in the absence of water at 50 to 180 °C to yield a solution of a polysiloxane having a number-average molecular weight of 2,000 to 15,000 in terms of polystyrene, applying a coating fluid containing the solution to a substrate surface, and thermally curing the resultant coating film at 80 to 600 °C. The film has a thickness of 0.5 to 5 $g(m)m.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire de manière simple et efficace, sur un substrat, un film de revêtement à base de silice présentant une épaisseur qui va de 0,5 à 5 $g(m)m. La présente invention concerne également ledit film de revêtement, un fluide de revêtement utilisé dans la production de ce film, ainsi qu'un procédé pour produire ce fluide de revêtement. Le procédé pour produire un film de revêtement à base de silice est caractérisé en ce qu'il consiste à chauffer un mélange réactionnel comprenant (A) un composé à base de silicium, représenté par Si(OR)4 et/ou (B) un composé à base de silicium, représenté par R1nSi(OR2)4-n (où n est un entier allant de 1 à 3) et/ou (C) un alcool représenté par R3CH2OH et/ou (D) de l'acide oxalique, dans une proportion spécifique, en l'absence d'eau, à une température allant de 50 à 180 °C, afin de produire une solution de polysiloxane présentant un poids moléculaire moyen en nombre qui va de 2 000 à 15 000 en terme de polystyrène, à appliquer un fluide de revêtement contenant la solution à la surface d'un substrat, puis à traiter thermiquement le film de revêtement résultant à une température allant de 80 à 600 °C. Le film selon cette invention présente une épaisseur qui va de 0,5 à 5 $g(m)m.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)