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1. (WO2002087080) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DES ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET SON PROCEDE DE FABRICATION, ET COMPOSANT ELECTRONIQUE LE METTANT EN OEUVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/087080 N° de la demande internationale : PCT/JP2002/003808
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 17.04.2002
CIB :
H03H 3/08 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
08
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants : IKEDA, Kazuo[JP/JP]; JP (UsOnly)
MURASE, Yasumichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
NISHIMURA, Kazunori[JP/JP]; JP (UsOnly)
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : IKEDA, Kazuo; JP
MURASE, Yasumichi; JP
NISHIMURA, Kazunori; JP
Mandataire : IWAHASHI, Fumio ; c/o Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501, JP
Données relatives à la priorité :
2001-12113619.04.2001JP
2001-12743525.04.2001JP
2001-36057727.11.2001JP
2001-37124905.12.2001JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD, AND ELECTRONIC PART USING IT
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DES ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET SON PROCEDE DE FABRICATION, ET COMPOSANT ELECTRONIQUE LE METTANT EN OEUVRE
Abrégé :
(EN) A surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate, a comb−shaped electrode constituting an IDT on the substrate, a reflector electrode arranged close in the direction of the propagation of a surface wave generated by the IDT, and a frame−shaped shorting auxiliary electrode disposed around the comb−shaped electrode and the reflector electrode and having different widths with position. The electric charge generated at the heat treatment step of heat−treating the piezoelectric substrate when the surface acoustic wave device is manufactured is evenly distributed all over the electrode surface of the device. As a result, even after the surface acoustic wave device is separated into a descret one, the discharge that might be caused because of accumulation of charge due to the pyroelectricity of the substrate do not damage the electrodes nor degrade the electric characteristics.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface comportant un substrat piézo-électrique, une électrode en peigne formant un transducteur interdigital sur le substrat, une électrode réfléchissante disposée à proximité dans la direction de propagation de l'onde de surface générée par le transducteur interdigital, et une électrode auxiliaire de court-circuit d'encadrement disposée autour de l'électrode en peigne et de l'électrode réfléchissante et présentant différentes largeurs de positionnement. La charge électrique générée lors de l'étape de traitement thermique pour le traitement thermique du substrat piézo-électrique lorsque le dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface est en cours de fabrication est distribuée de manière uniforme sur la surface d'électrodes du dispositif. Ainsi, même après la division du dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface en un dispositif discret, la décharge qui pourrait être provoquée en raison de l'accumulation de charge due à la pyroélectricité du substrat n'endommage pas le électrodes ni ne détériore les propriétés électriques.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)