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1. (WO2002086973) DISPOSITIFS ET CIRCUITS NANOELECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086973    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/001807
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 18.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.11.2002    
CIB :
H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/334 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01), H01L 29/775 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : BTG INTERNATIONAL LIMITED [GB/GB]; 10 Fleet Place, Limeburner Lane, London EC4M 7SB (GB) (Tous Sauf US).
SONG, Aimin [CN/GB]; (GB) (US Seulement).
OMLING, Pär [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : SONG, Aimin; (GB).
OMLING, Pär; (SE)
Mandataire : BINGHAM, Ian, Mark; BTG International Limited, 10 Fleet Place, Limeburner Lane, London EC4M 7SB (GB)
Données relatives à la priorité :
0109782.3 20.04.2001 GB
Titre (EN) NANOELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS
(FR) DISPOSITIFS ET CIRCUITS NANOELECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Diode devices with superior and pre-settable characteristics and of nanometric dimensions, comprise etched insulative lines (8, 16, 18) in a conductive substrate to define between the lines charge carrier flow paths, formed as elongate channels (20) at least 100 nm long and less than 100 nm wide. The current-voltage characteristic of the diode devices are similar to a conventional diode, but both the threshold voltage (from 0V to a few volts) and the current level (from nA to $g(m)A) can be tuned by orders of magnitude by changing the device geometry. Standard silicon wafers can be used as substrates. A full family of logic gates, such as OR, AND, and NOT, can be constructed based on this device solely by simply etching insulative lines in the substrate.
(FR)La présente invention se rapporte à des dispositifs à diodes présentant des caractéristiques supérieures pouvant être prédéterminées et de dimensions nanométriques. Ces dispositifs comprennent des lignes isolantes (8, 16, 18) gravées dans un substrat conducteur permettant de définir entre elles des chemin d'écoulement des porteurs de charges et se présentant sous la forme de canaux allongés (20) de longueur au moins égale à 100 nm et de largeur inférieure à 100 nm. La caractéristique courant-tension de ces dispositifs à diodes est semblable à celle d'une diode classique, mais la tension de seuil (de 0V à quelques volts) et le niveau de courant (de nA à $g(m)A) peuvent être accordés par ordres de grandeur au moyen d'un changement de la géométrie du dispositif. Des plaquettes en silicium normalisées peuvent être utilisées en tant que substrats. Un unique dispositif de ce type peut servir à la construction d'une famille entière de portes logiques, telles que les portes OU, ET et NON par simple gravure de lignes isolantes dans le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)