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1. (WO2002086970) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086970    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003829
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 17.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.10.2002    
CIB :
H01L 21/607 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
FUNATO, Norihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NANBA, Masataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAWANO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUNATO, Norihide; (JP).
NANBA, Masataka; (JP).
SAWANO, Hiroshi; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-120309 18.04.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is provided including a semiconductor element having a plurality of electrodes, a plurality of bonding portions of a lead frame, a plate-like current path material which electrically connects at least one of the plurality of electrodes and one of the plurality of bonding portions, a housing which packages the semiconductor element having the plurality of electrodes, the plurality of bonding portions of the lead frame, and the current path material, wherein the plate?like current path material is arranged to be directly bonded to one of the plurality of electrodes and one of the plurality of bonding portions, and the middle portion of the current path material is formed apart from the surface of the semiconductor element. A method of manufacturing the same is also provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un élément doté d'une pluralité d'électrodes, une pluralité de parties de liaison de grille de connexion, un matériau de chemin de courant de type plaque connectant électriquement au moins l'une des electrodes et l'une des parties de liaison, et un logement renfermant l'élément doté de la pluralité d'électrodes, la pluralité de parties de liaison de grille de connexion, et le matériau de chemin de courant. Le matériau de chemin de courant de type plaque est agencé de façon à être directement relié à l'une des électrodes et à l'une des parties de liaison, la partie intermédiaire du matériau de chemin de courant étant formée séparée de la surface de l'élément semi-conducteur. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit dispositif.
États désignés : CN, KR, MX, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)