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1. (WO2002086955) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086955    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/001320
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : DORMANS, Guido, J., M.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
01201459.3 23.04.2001 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor device comprising a semiconductor body (10) which is provided with an active semiconductor region (12) which borders on a surface (11) of said semiconductor body, which active semiconductor region is provided with a non-volatile memory cell comprising a source zone and a drain zone (29), a select gate (18), and a stacked gate structure (32) comprising a floating gate (26) and a control gate (25). The stacked gate extends above the select gate and covers a side wall (33) of said select gate, which side wall extends at least substantially perpendicularly to the surface of the semiconductor body. The stacked gate structure is insulated from the select gate by a layer of an insulating material (19, 35) that is applied to the select gate. The select gate and the floating gate, viewed along the surface of the semiconductor body, are situated at a distance from each other, which distance is determined by the thickness of the layer of insulating material applied to the select gate's side wall (33) which extends at least substantially perpendicularly to the surface of the semiconductor body, which thickness enables a continuous channel to be formed between the source zone and the drain zone.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un corps semi-conducteur (10) doté d'une zone semi-conductrice active (12) qui confine à une surface (11) dudit corps semi-conducteur. Cette zone semi-conductrice active est pourvue d'une cellule mémoire non volatile comprenant une zone source et une zone drain (29), une porte de sélection (18) et une structure de portes superposées (32) constituée d'une grille flottante (26) et d'une porte de commande (25). La structure de portes superposées s'étend au-dessus de la porte de sélection dont elle couvre une paroi latérale (33), laquelle s'étend de manière au moins sensiblement perpendiculaire à la surface du corps semi-conducteur. Cette structure de portes superposées est isolée de la porte de sélection par une couche de matériau isolant (19, 35) appliquée sur la porte de sélection. Ladite porte de sélection et la grille flottante, vues à la surface du corps semi-conducteur, sont à une certaine distance l'une de l'autre, distance qui est déterminée par l'épaisseur de la couche de matériau isolant appliquée sur la paroi latérale (33) de la porte de sélection. L'épaisseur de cette couche isolante, qui s'étend de manière au moins sensiblement perpendiculaire à la surface du corps semi-conducteur, permet la formation d'un canal continu entre la zone source et la zone drain.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)