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1. (WO2002086906) PROCEDE POUR COMPARER L'ADRESSE D'UN ACCES MEMOIRE A UNE ADRESSE DEJA CONNUE D'UNE CELLULE DE MEMOIRE DEFECTUEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086906    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/003913
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 09.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2002    
CIB :
G11C 8/00 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
KAISER, Robert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHAMBERGER, Florian [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KAISER, Robert; (DE).
SCHAMBERGER, Florian; (DE)
Mandataire : WILHELM, Jürgen; Wilhelm & Beck, Nymphenburger Str. 139, 80636 München (DE)
Données relatives à la priorité :
101 19 125.1 19.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM VERGLEICH DER ADRESSE EINES SPEICHERZUGRIFFS MIT EINER BEREITS BEKANNTEN ADRESSE EINER FEHLERHAFTEN SPEICHERZELLE
(EN) METHOD FOR THE COMPARISON OF THE ADDRESS OF A MEMORY ACCESS WITH THE ALREADY KNOWN ADDRESS OF A DEFECTIVE MEMORY CELL
(FR) PROCEDE POUR COMPARER L'ADRESSE D'UN ACCES MEMOIRE A UNE ADRESSE DEJA CONNUE D'UNE CELLULE DE MEMOIRE DEFECTUEUSE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vergleich der Adresse einer Speicherzelle mit einer bereits bekannten Adresse einer fehlerhaften Speicherzelle eines in Bänke unterteilten Halbleiter-Speicherbausteins mit einer Adressstruktur, bei der jede Adresse einer in Zeilen und Spalten organisierten Bank zugeordnet und durch eine Zeilenadresse, eine Spaltenadresse und eine Bankadresse festgelegt ist, wobei bei einem Speicherzugriff sowohl die Zeilen-, wie die Spalten- und die Bankadresse ermittelt werden, wobei eine Bank mittels eines Bankwahlsignals aktiviert wird und wobei der Zugriff auf eine gültige Adresse einer fehlerhaften Speicherzelle durch Freigaberegister angezeigt wird.
(EN)The invention relates to a method for the comparison of the address of a memory cell with an already known address of a defective memory cell of a semiconductor memory component, divided into banks, with an address structure in which each address is assigned to a bank organised in rows and columns and is fixed by means of a row address, a column address and a bank address. On a memory access the row, column and bank address are determined, whereby a bank is activated by means of a bank selection signal and the access to a valid address for a defective memory cell is displayed by means of an enable register.
(FR)L'invention concerne un procédé servant à comparer l'adresse d'une cellule de mémoire à une adresse déjà connue d'une cellule de mémoire défectueuse dans un module de mémoire à semi-conducteur subdivisé en blocs et ayant une structure d'adressage dans laquelle chaque adresse est affectée à un bloc subdivisé en lignes et en colonnes et est définie par une adresse de ligne, une adresse de colonne et une adresse de bloc. Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce que les adresses de ligne, de colonne et de bloc sont toutes trois déterminées lors d'un accès à la mémoire, en ce qu'un bloc est activé au moyen d'un signal de sélection de bloc et en ce que l'accès à une adresse valable d'une cellule de mémoire défectueuse est signalé par des registres de validation.
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)