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1. (WO2002086905) MEMOIRE FERROELECTRIQUE ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086905    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003713
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 15.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.10.2002    
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Inventeurs : MATSUSHITA, Shigeharu; (JP)
Mandataire : MIYAZONO, Hirokazu; 7th FL., Shin-Nakajima BLDG., 9-20, Nishinakajima 1-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-121029 19.04.2001 JP
Titre (EN) FERROELECTRIC MEMORY AND OPERATING METHOD THEREFOR
(FR) MEMOIRE FERROELECTRIQUE ET PROCEDE DE FONCTIONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A ferroelectric memory capable of avoiding disturbance in non-selected cells is obtained. This ferroelectric memory comprises pulse application means for applying pulses having a prescribed pulse width causing sufficient polarization inversion when applying a high voltage to the ferroelectric capacitors while hardly causing polarization inversion when applying a low voltage to the ferroelectric capacitors to the memory cells. The ferroelectric memory applies a pulse of a high voltage having the aforementioned prescribed pulse width to a selected memory cell while applying a pulse of a low voltage having the aforementioned prescribed pulse width to non-selected memory cells in at least either data writing or data reading. Thus, writing or reading is performed on the selected memory cell, while polarization inversion is hardly caused in the non-selected memory cells. Consequently, disturbance can be avoided in the non-selected memory cells.
(FR)L'invention concerne une mémoire ferroélectrique qui permet d'éviter les perturbations dans les cellules non sélectionnées. Cette mémoire ferroélectrique comprend des moyens d'application d'impulsion qui permettent l'application d'impulsions présentant une durée prescrite, lesquelles provoquent une inversion de polarisation suffisante lorsque la tension appliquée aux condensateurs ferroélectriques est élevée, et ne provoquent qu'une inversion de polarisation marginale lorsque la tension appliquée aux condensateurs ferroélectriques des cellules mémoire est faible. Cette mémoire applique une impulsion de tension élevée, présentant ladite durée prescrite à une cellule mémoire sélectionnée, et applique simultanément une impulsion de faible tension présentant également la durée prescrite aux cellules mémoire non sélectionnées lors de l'écriture et/ou de la lecture de données. L'écriture ou la lecture est ainsi exécutée dans la cellule mémoire sélectionnée, tandis que les cellules non sélectionnées ne subissent qu'une inversion de polarisation marginale, ce qui permet d'éviter les perturbations dans les cellules mémoire non sélectionnées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)