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1. (WO2002086605) MODULATEUR OPTIQUE A GUIDES D'ONDES A MOULURES ET A COUCHES DIELECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086605    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011588
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 12.04.2002
CIB :
G02F 1/035 (2006.01), G02F 1/225 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : BETTS, Gary, E.; (US)
Mandataire : TAKAHASHI, Mark; Gray Cary Ware & Freidenrich, LLP 4365 Executive Drive Suite 1100 San Diego, CA 92121-2133 (US)
Données relatives à la priorité :
60/285,434 19.04.2001 US
10/086,171 28.02.2002 US
Titre (EN) OPTICAL MODULATOR WITH RIDGED WAVEGUIDES AND DIELECTRIC LAYERS
(FR) MODULATEUR OPTIQUE A GUIDES D'ONDES A MOULURES ET A COUCHES DIELECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An optical modulator configured in accordance with the present invention utilizes a ridged optical waveguide substrate. The interferometric arms of the optical waveguide are formed with the substrate ridges. A dielectric material having a dielectric constant less than the dielectric constant of the substrate material is formed on the substrate in the areas surrounding the ridges. The drive signal and ground electrodes are formed above the dielectric layer and positioned such that portions of the electrodes are located adjacent to the substrate ridges (and, consequently, proximate to the waveguide arms). In one embodiment, the height of the dielectric layer is less that the height of the ridges. In another embodiment, the height of the dielectric layer is equal to the height of the ridges.
(FR)L'invention se rapporte à un modulateur optique configuré conformément à la présente invention faisant appel à un substrat de guide d'ondes optiques à moulures. Les bras interférométriques du guide d'ondes optiques sont pratiqués dans les saillies du substrat. Une matière diélectrique présentant une constante diélectrique inférieure à la constante diélectrique du substrat est formée sur le substrat dans les zones entourant les saillies. Le signal de commande et les prises de terre sont formés au-dessus de la couche diélectrique et placés de manière que les parties des électrodes soient adjacentes aux saillies du substrat (et, en conséquence, à proximité des bras du guide d'ondes). Selon un mode de réalisation, la hauteur de la couche diélectrique est inférieure à la hauteur des saillies. Selon un autre mode de réalisation, la hauteur de la couche diélectrique est égale à la hauteur des saillies.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)