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1. (WO2002086476) PROCEDE D'ANALYSE AUX RAYONS X UTILISE DANS UN DISPOSITIF OPTIQUE A PARTICULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086476    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/001292
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 09.04.2002
CIB :
G01N 23/225 (2006.01)
Déposants : FEI COMPANY [US/US]; 7451 NW Evergreen Parkway, Hillsboro, OR 97124-5830 (US)
Inventeurs : KWAKMAN, Laurens, F., T.; (NL).
TROOST, Kars, Z.; (NL)
Mandataire : BAKKER, Hendrik; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
01401010.2 19.04.2001 EP
Titre (EN) HIGH SPATIAL RESOLUTION X-RAY MICROANALYSIS
(FR) PROCEDE D'ANALYSE AUX RAYONS X UTILISE DANS UN DISPOSITIF OPTIQUE A PARTICULES
Abrégé : front page image
(EN)Samples such as semiconductor wafers may be subjected to an elementary analysis by irradiation by means of electrons and measurement of the characteristic X-rays (30) generated in the sample. In order to achieve a high spatial resolution, two adjacent holes (6, 8) are formed in the sample surface, leaving a very thin separating wall (10) between said holes and hence limiting the dimension of the sample volume (24) interacting with the irradiation beam. However, electrons pass through the wall, thus generating disturbing X-rays in the walls of the hole (8) behind the thin separating wall. According to the invention the hole (8) behind the separating wall (10) is provided with a stopping material (12) of an elementary composition which deviates from that of the wall (10). If the separating wall to be analyzed contains silicon, the stopping material (12) should preferably be platinum or carbon.
(FR)L'invention concerne un procédé d'analyse consistant à soumettre des échantillons, tels que des plaquettes à semi-conducteurs, à une analyse élémentaire par irradiation aux électrons, et à mesurer les rayons X (30) générés dans l'échantillon. Pour obtenir une résolution spatiale élevée, on forme deux orifices adjacents (6, 8) dans la surface de l'échantillon, ce qui laisse une paroi de séparation (10) très fine entre lesdits orifice et limite par conséquent la dimension du volume de l'interaction (24). Toutefois, les électrons traversent la paroi et génèrent des rayons X parasites dans les parois de l'orifice (8), derrière la paroi. Selon la présente invention, l'orifice (8) situé derrière la paroi de séparation (10) est équipé d'un matériau d'arrêt (12) ayant une composition élémentaire différente de celle de la paroi (10). Si la paroi à analyser renferme du silicium, le matériau d'arrêt (12) doit être de préférence du platine ou du carbone.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)