WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002086432) PROCEDE DE DETERMINATION DE TEMPERATURES SUR DES ELEMENTS A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086432    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/001436
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 18.04.2002
CIB :
G01K 11/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
HAUENSTEIN, Henning, M. [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HAUENSTEIN, Henning, M.; (DE)
Données relatives à la priorité :
101 19 599.0 21.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG VON TEMPERATUREN AN HALBLEITERBAUELEMENTEN
(EN) METHOD FOR DETERMINING TEMPERATURES ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) PROCEDE DE DETERMINATION DE TEMPERATURES SUR DES ELEMENTS A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(DE)Zur Bestimmung einer Temperatur an einem Halbleiterbauelement (1) wird eine Abfragelichtwelle (7) auf einen Messpunkt an dem Halbleiterbauelement eingestrahlt, eine von dem Messpunkt abgestrahlte Antwortlichtwelle (8, 8') erfasst und die Temperatur des Messpunkt anhand einer Temperaturabhängigen Eigenschaft (R) der Antwortlichtwelle (8, 8') ermittelt.
(EN)The aim of the invention is to determine a temperature on a semiconductor component (1). To this end, an inquiry light wave (7) is irradiated onto a measuring point located on the semiconductor component, a response light wave (8, 8') radiated by the measuring point is detected, and the temperature of the measuring point is determined on the basis of a temperature-dependent property (R) of the response light wave (8, 8').
(FR)L'invention vise à déterminer une température sur un élément à semi-conducteurs (1). A cet effet, une onde lumineuse d'interrogation (7) est dirigée sur un point de mesure de l'élément à semi-conducteurs, une onde lumineuse de réponse (8, 8') réfléchie par le point de mesure est relevée, et la température du point de mesure est déterminée sur la base d'une propriété (R) de l'onde lumineuse de réponse (8, 8') dépendant de la température.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)