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1. (WO2002086201) STRUCTURES ET DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT DES EMPILEMENTS DE PEROVSKITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086201    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/004969
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 19.02.2002
CIB :
C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : YU, Zhiyi; (US).
DROOPAD, Ravindranath; (US).
OOMS, William, J.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Portfolio Manager Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 PHOENIX, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/838,273 19.04.2001 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DEVICES UTILIZING PEROVSKITE STACKS
(FR) STRUCTURES ET DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT DES EMPILEMENTS DE PEROVSKITE
Abrégé : front page image
(EN)A high quality semiconductor structure (1) includes a monocrystalline substrate (2) and a perovskite stack (7) overlying the substrate. The perovskite stack may be formed of a first accommodating layer (4) formed of a first perovskite oxide material having a first lattice constant. A second accommodating layer (5) is formed on the first accommodating layer. The second accommodating layer is formed of a second perovskite oxide material having a second lattice constant which is different from the first lattice constant of the first accommodating layer. A monocrystalline material layer (8) is formed overlying the second accommodating layer. A strain is effected at the interface between the perovskite stack and the substrate, at the interface between the perovskite stack and the monocrystalline material layer and/or at the interface between the first accommodating layer and the second accommodating layer. The strain reduces defects in the monocrystalline material layer and results in reduced Schottky leakage current.
(FR)L'invention porte sur une structure (1) à semi-conducteurs de haute qualité qui comprend un substrat monocristallin (2) et un empilement de pérovskite (7) reposant sur le substrat. L'empilement de pérovskite peut être formé d'une première couche d'adaptation (4) constituée d'une premier matériau d'oxyde de pérovskite présentant un première paramètre de réseau. Une seconde couche d'adaptation (5) est formée sur la première et est constituée d'un second matériau d'oxyde de pérovskite ayant un second paramètre de réseau différent de celui de la première couche. Une couche de matériau monocristallin (8) et formée sur la seconde couche d'adaptation. Une déformation est effectuée au niveau de l'interface entre l'empilement de pérovskite et le substrat, au niveau de l'interface entre l'empilement de pérovskite et la couche de matériau monocristallin et/ou au niveau de l'interface entre la première et la seconde couche d'adaptation. La déformation réduit les défauts dans la couche de matériau monocristallin et entraîne une diminution du courant de fuite de Schottky.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)