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1. (WO2002086192) UTILISATION DE PERFLUOROCETONES COMME GAZ DE NETTOYAGE, DE GRAVURE ET DE DOPAGE DESTINES A UN REACTEUR A VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086192    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/007509
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 14.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.11.2002    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Inventeurs : KESARI, Susrut; (US).
BEHR, Frederick E.; (US).
COSTELLO, Michael G.; (US).
FLYNN, Richard M.; (US).
MINDAY, Richard M.; (US).
OWENS, John G.; (US).
VITCAK, Daniel R.; (US)
Mandataire : JORDAN, Robert H.; Office of Intellectual Property Counsel, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US).
VOSSIUS & PARTNER; P.O. Box 86 07 67, 81634 München (DE)
Données relatives à la priorité :
09/841,376 24.04.2001 US
Titre (EN) USE OF PERFLUOROKETONES AS VAPOR REACTOR CLEANING, ETCHING, AND DOPING GASES
(FR) UTILISATION DE PERFLUOROCETONES COMME GAZ DE NETTOYAGE, DE GRAVURE ET DE DOPAGE DESTINES A UN REACTEUR A VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)Methods of using reactive gases containing a perfluoroketone having 4 to 7 carbon atoms for removing unwanted deposits that build up in a vapor reactor, for etching dielectric and metallic materials in a vapor reactor, and for doping a material in a vapor reactor are described. The perfluoroketones perform as well as or better than the standard perfluorocarbons used in the semiconductor industry but have minimal impact on global warming.
(FR)L'invention concerne des procédés permettant d'utiliser des gaz réactifs contenant une perfluorocétone ayant 4 à 7 atomes de carbone pour retirer des dépôts indésirables se formant dans un réacteur à vapeur, pour graver des matériaux diélectriques et métalliques dans un réacteur à vapeur et pour doper une matière dans un réacteur à vapeur. Ces perfluorocétones sont au moins aussi performants que les perfluocarbones standard utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs, mais surtout ils ont un impact minimal sur le réchauffement de la planète.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)