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1. (WO2002086185) SOURCE DE PLASMA DE DECHARGE DE PENNING
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086185    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011473
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 10.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.11.2002    
CIB :
C23C 16/50 (2006.01), C23C 16/505 (2006.01), C23C 16/54 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01J 49/42 (2006.01)
Déposants : APPLIED PROCESS TECHNOLOGIES [US/US]; 546_East 25th Street Tucson, AZ 85713 (US) (Tous Sauf US).
MADOCKS, John, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MADOCKS, John, E.; (US)
Mandataire : REGELMAN, Dale, F.; Law Office of Dale F. Regelman, P.C., 4231 South Fremont Avenue, Tucson, AZ 85714 (US)
Données relatives à la priorité :
60/285,360 20.04.2001 US
60/285,361 20.04.2001 US
60/285,364 20.04.2001 US
Titre (EN) PENNING DISCHARGE PLASMA SOURCE
(FR) SOURCE DE PLASMA DE DECHARGE DE PENNING
Abrégé : front page image
(EN)The preferred embodiments described herein provide a Penning discharge plasma source. The magnetic and electric field arrangement, similar to a Penning discharge, effectively traps the electron Hall current in a region between two surfaces. When a substrate (10) is positioned proximal to at least one of the electrodes (11, 12) and is moved relative to the plasma, the substrate (10) is plasma treated, coated or otherwise modified depending upon the process gas used and the process pressure. This confinement arrangement produces dramatic results not resembling known prior art. Using this new source, many applications for PECVD, plasma etching, plasma treating, sputtering or other plasma processes will be substantial improved or made possible. In particular, applications using flexible webs (10) are benefited.
(FR)Les modes de réalisation préférés de l'invention fournissent une source de plasma de décharge de Penning. Le système de champ magnétique et électrique, comme une décharge de Penning, enferme de manière efficace le courant d'électrons de Hall dans une zone située entre deux surfaces. Lorsqu'un substrat (10) est placé à proximité d'au moins une des électrodes (11, 12) puis déplacé par rapport au plasma, ledit substrat (10) est traité au plasma, revêtu ou autrement modifié en fonction du gaz de traitement utilisé et de la pression de traitement. Ce dispositif de traitement produit des résultats remarquables ne s'apparentant pas à ceux de l'art antérieur. L'utilisation de cette nouvelle source, de plusieurs applications de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma, de gravure au plasma, de traitement au plasma, de vaporisation ou d'autres traitements au plasma vont être sensiblement améliorés ou rendus possibles. En particulier, les applications utilisant des toiles souples (10) en tirent profit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)