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1. (WO2002086183) ENSEMBLES SOUDES PAR DIFFUSION ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086183    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011686
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 12.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2002    
CIB :
B23K 20/00 (2006.01), B23K 20/22 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; Law Department AB2, P.O. Box 2245, 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962 (US) (Tous Sauf US).
MISNER, Josh, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MISNER, Josh, W.; (US)
Mandataire : LAKE, James, E.; Wells St. John P.S., 601 West First Ave., # 1300, Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
60/285,658 19.04.2001 US
Titre (EN) DIFFUSION BONDED ASSEMBLIES AND FABRICATION METHODS
(FR) ENSEMBLES SOUDES PAR DIFFUSION ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A diffusion bonded PVD target assembly (30) includes a target blank (34) bonded directly to a backing plate (32), a majority crystal structure of the target blank comprising a HCP structure. The target blank can include cobalt and the backing plate can include an aluminum or copper alloy. The target assembly can exhibit a thickness dependent high PTF, such as at least about 60%. A PVD target fabrication method includes diffusion bonding a target blank to a backing plate, a majority crystal structure of the target blank comprising a HCP structure; transitioning at least some of the HCP structure to a non-HCP structure; and restoring a majority of the non-HCP structure to the HCP structure. The transitioning can include hot pressing the target blank and backing plate at a temperature exceeding a HCP to non-HCP transition temperature of the target blank. The restoring can include cooling at a specified low rate.
(FR)L'invention concerne un ensemble (30) cible PVD soudé par diffusion comprenant une ébauche cible (34) soudée directement à un support (32), une structure cristalline majoritaire de l'ébauche cible comprenant une structure HCP. L'ébauche cible comprend du cobalt, le support pouvant comporter un alliage d'aluminium ou de cuivre. L'ensemble cible peut présenter un flux traversant (PTF) élevé en fonction de l'épaisseur, par exemple au moins 60%. Un procédé de fabrication cible PVD consiste notamment à souder par diffusion une ébauche cible sur un support, une structure cristalline majoritaire de l'ébauche cible comprenant une structure HCP; à permettre la transition d'au moins une partie de la structure HCP vers une structure non-HCP; et à rétablir une majorité de la structure non-HCP en structure HCP. La transition peut consister à presser à chaud l'ébauche cible et le support à une température supérieure à une température de transition HCP à non-HCP de l'ébauche cible. Le rétablissement peut comporter le refroidissement à vitesse réduite spécifiée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)