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1. (WO2002086181) ENSEMBLES SOUDES PAR DIFFUSION ET PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

demande internationale considérée comme retirée 2002-07-31 00:00:00.0


N° de publication :    WO/2002/086181    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/012080
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 19.04.2002
CIB :
B23K 20/00 (2006.01), B23K 20/22 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road Box 2245 Morristown, NJ 07962 (US) (Tous Sauf US).
MISNER, Josh, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MISNER, Josh, W.; (US)
Mandataire : LATWESEN, David, G.; Wells, St. John, Roberts, Gregory & Matkin P.S. Suite 1300 601 West First Avenue Spokane, WA 99201 (US)
Données relatives à la priorité :
60/285,658 19.04.2001 US
Titre (EN) DIFFUSION BONDED ASSEMBLIES AND FABRICATION METHODS
(FR) ENSEMBLES SOUDES PAR DIFFUSION ET PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A diffusion bonded PVD target assembly 30 includes a target blank 34 bonded directly to a backing plate 32, a majority crystal structure of the target blank comprising a HCP structure. The target blank can include cobalt and the backing plate can include an aluminum or copper alloy. The target assembly can exhibit a thickness dependent high PTF, such as at least about 60%. A PVD target fabrication method includes diffusion bonding a target blank to a backing plate, a majority crystal structure of the target blank comprising a HCP structure; transitioning at least some of the HCP structure to a non-HCP structure; and restoring a majority of the non-HCP structure to the HCP structure. The transitioning can include hot pressing the target blank and backing plate at a temperature exceeding a HCP to non-HCP transition temperature of the target blank. The restoring can include cooling at a specified low rate.
(FR)L'invention concerne un ensemble cible (30) pour dépôt physique en phase vapeur (PVD), soudé par diffusion, cet ensemble comportant une ébauche de cible (34) soudée directement à une plaque de support (32), une majeure partie de la structure cristalline de cette ébauche de cible comprenant une structure hexagonale compacte. L'ébauche de cible contient du cobalt et la plaque de support peut contenir un alliage d'aluminium ou de cuivre. Cet ensemble cible peut présenter un flux traversant élevé dépendant de l'épaisseur, d'au moins environ 60 %. Un procédé de fabrication de cible pour PVD consiste à souder par diffusion une ébauche de cible à une plaque de support, une majeure partie de la structure cristalline de l'ébauche de cible comprenant une structure hexagonale compacte; à convertir au moins une partie de cette structure hexagonale compacte en structure non hexagonale compacte; et à rétablir la majeure partie de cette structure non hexagonale compacte en structure hexagonale compacte. L'étape de conversion peut consister à presser à chaud l'ébauche de cible et la plaque de support, à une température supérieure à la température de conversion de structure hexagonale compacte en structure non hexagonale compacte de l'ébauche de cible. L'étape de rétablissement consiste à refroidir ces éléments à un taux réduit spécifié.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)