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1. (WO2002085002) CAPTEUR D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/085002    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003655
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 12.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.07.2002    
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/341 (2011.01), H04N 5/347 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01), H04N 9/04 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
UTAGAWA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UTAGAWA, Ken; (JP)
Mandataire : FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg., 9th Floor, 19-5, Nishishinjuku 1-Chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-113617 12.04.2001 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state image sensor comprising light-receiving elements which are matrix-arranged on a light-receiving surface to generate photoelectric power depending on the intensity of the received light and a transmission unit which reads the photoelectric outputs from the light-receiving elements to add the photoelectric outputs for every pixel block provided on the light-receiving surface and to output the sum outside. The solid-state image sensor is characterized in that each pixel block has a group of N (N $m(G) 2) light-receiving elements in the column direction of the matrix arrangement, and the pixel blocks of the even columns are shifted by a half phase from those of the odd columns.
(FR)L'invention porte sur un capteur d'images à semi-conducteurs comprenant des éléments récepteurs de lumière disposés sous forme de matrice sur une surface réceptrice de lumière de façon à générer une énergie photoélectrique en fonction de l'intensité de lumière reçue, et un émetteur qui lit les sorties photoélectriques provenant des éléments récepteurs de lumière de façon à ajouter les sorties photoélectriques à chaque bloc de pixels formés sur la surface réceptrice de lumière et émettre la somme en sortie. Le capteur d'images à semi-conducteurs se caractérise en ce que chaque bloc de pixels possède un groupe de N éléments récepteurs de lumière (N <u>$m(G)</u> 2) dans le sens des colonnes de l'agencement en matrice, les blocs de pixels des colonnes paires étant décalés d'une demi-phase de ceux des colonnes impaires.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)