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1. (WO2002084861) AMPLIFICATEUR A BANDES MULTIPLES COMPORTANT UNE BOBINE D'ARRET RF A SORTIES MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084861    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011783
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2002    
CIB :
H03F 3/191 (2006.01), H03F 3/60 (2006.01)
Déposants : TROPIAN INC. [US/US]; 20813 Stevens Creek Blvd., Cupertino, CA 95014 (US) (Tous Sauf US).
JUDKINS, James, G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JUDKINS, James, G.; (US)
Mandataire : URE, Michael, J.; Tropian, Inc., 20813 Stevens Creek Boulevard, Cupertino, CA 95014 (US)
Données relatives à la priorité :
09/834,056 11.04.2001 US
Titre (EN) MULTI-BAND AMPLIFIER HAVING MULTI-TAP RF CHOKE
(FR) AMPLIFICATEUR A BANDES MULTIPLES COMPORTANT UNE BOBINE D'ARRET RF A SORTIES MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)An amplifier circuit formed on a single semiconductor substrate includes a first amplifier having at least one stage for amplifying signals within a first frequency band, a first amplifier having at least one stage for amplifying signals within a second frequency band; and a tapped coil having one end thereof coupled to a stage of the first amplifier and a tap thereof coupled to a stage of the second amplifier. The amplifier circuit may be an RF amplifier circuit, a first portion of the tapped coil serving as an RF choke for said stage of the first amplifier, and a second portion of the tapped coil serving as an RF choke for said stage of the second amplifier. Sharing the tapped coil between multiple band amplifiers increases integration density.
(FR)L'invention concerne un circuit amplificateur, formé sur un substrat semi-conducteur unique, comprenant un premier amplificateur possédant au moins un étage d'amplification de signaux à l'intérieur d'une première bande de fréquences, un second amplificateur possédant au moins un étage d'amplification de signaux à l'intérieur d'une seconde bande de fréquences, et une bobine à prises dont une extrémité est couplée à un étage du premier amplificateur et une autre sortie est couplée à un étage du second amplificateur. Le circuit amplificateur peut être un circuit amplificateur RF, une première portion de la bobine à prises servant de piège RF pour cet étage du premier amplificateur, et une seconde portion de la bobine à prises servant de piège RF pour l'étage du second amplificateur. Le partage de la bobine à prises entre des amplificateurs à bandes multiples permet d'augmenter la densité d'intégration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)