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1. (WO2002084829) LASER A CAVITE VERTICALE ET EMISSION PAR LA SURFACE A GRANDE LONGUEUR D'ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084829    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011488
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
CIB :
G02B 6/42 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : CIELO COMMUNICATIONS, INC. [US/US]; 325 Interlocken Parkway Bldg. A Broomfield, CO 80021 (US) (Tous Sauf US).
NAONE, Ryan, Likeke [US/US]; (US) (US Seulement).
JACKSON, Andrew, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHIROVSKY, Leo, M., F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NAONE, Ryan, Likeke; (US).
JACKSON, Andrew, W.; (US).
CHIROVSKY, Leo, M., F.; (US)
Mandataire : HASAN, Art; Christie, Parker & Hale, LLP P.O. Box 7068 Pasadena, CA 91109-7068 (US)
Données relatives à la priorité :
60/283,449 11.04.2001 US
60/284,485 17.04.2001 US
60/355,240 08.02.2002 US
Titre (EN) LONG WAVELENGTH VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER
(FR) LASER A CAVITE VERTICALE ET EMISSION PAR LA SURFACE A GRANDE LONGUEUR D'ONDE
Abrégé : front page image
(EN)Selectively oxidized vertical cavity lasers (900) emitting at about 1290 nm using InGaAsN quantum wells that operate continuous wave. The lasers (900) employ a semi-insulating GaAs substrate (910) for reduced capacitance, high quality, low resistivity AlGaAs DBR mirror structures (920, 970), and a strained active region (18) based on InGaAsN. In addition, the design of the VCSEL (900) reduces free carrier absorption of 1300 nm light in p-type materials (950) of the lasers by placing relatively high p-type dopant concentrations (952(a), 952(b)) near standing wave nulls (980).
(FR)L'invention concerne des lasers à cavité verticale (VCSEL) à oxydation sélective (900) émettant à environ 1290 nm au moyen de puits quantiques InGaAsN à onde entretenue. Lesdits lasers (900) font appel à un substrat GaAs semi-isolant (910) pour des structures miroir (920, 970) de type réflecteur Bragg réparti AlGaAs à capacité réduite, d'excellente qualité et à faible résistivité, ainsi qu'à une région active contrainte (18) à base de InGaAsN. En outre, la conception des VCSEL (900) permet de réduire l'absorption de porteurs libres d'une lumière à 1300 nm dans des matériaux de type p (950) desdits lasers, par disposition de concentrations (952(a), 952(b)) de dopant de type p relativement élevées près de points nuls (980) d'ondes stationnaires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)