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1. (WO2002084779) FILMS MINCES DIELECTRIQUES ACCORDABLES A REDUCTION DE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084779    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011361
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.10.2002    
CIB :
C23C 14/08 (2006.01)
Déposants : PARATEK MICROWAVE, INC. [US/US]; Suite N, 6935 Oakland Mills Road, Columbia, MD 21045 (US)
Inventeurs : CHANG, Wontae; (US)
Mandataire : TUCKER, William, J.; 8650 Southwestern Blvd. #2825, Dallas, TX 75206 (US)
Données relatives à la priorité :
09/834,327 13.04.2001 US
Titre (EN) STRAIN-RELIEVED TUNABLE DIELECTRIC THIN FILMS
(FR) FILMS MINCES DIELECTRIQUES ACCORDABLES A REDUCTION DE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)Tunable dielectric thin films are provided which possess low dielectric losses at microwave frequencies relative to conventional dielectric thin films. The thin films include a low dielectric loss substrate, a buffer layer, and a crystalline dielectric film. Barium strontium titanate may be used as the buffer layer and the crystalline dielectric film. The buffer layer provides strain relief during annealing operations.
(FR)L'invention concerne des films minces diélectriques accordables qui présentent de faibles pertes diélectriques aux hyperfréquences par rapport aux films minces diélectriques classiques. Les films minces comportent un substrat à faible perte diélectrique, une couche tampon et un film diélectrique cristallin. On peut utiliser du titanate de barium et de strontium comme couche tampon et film diélectrique cristallin. La couche tampon permet une réduction de tension lors d'opérations de recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)