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1. (WO2002084744) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2002/084744    International Application No.:    PCT/JP2002/003025
Publication Date: 24 oct. 2002 International Filing Date: 27 mars 2002
IPC: H01L 21/8238
H01L 29/10
H01L 29/165
H01L 29/786
H01L 29/80
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

TAKAGI, Takeshi

INOUE, Akira

Inventors: TAKAGI, Takeshi

INOUE, Akira

Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract:
La région comprise entre une région de source (19) et une région de drain (20) dans une couche Si (15) est une région de corps Si (21) contenant une forte concentration d'impuretés de type N. Une couche Si (16) et une couche SiGe(17) sont des couches non dopées par des impuretés de type N dans un état inchangé après tirage. Les régions situées entre les régions de source et de drain (19, 20) de la couche Si (16) et de la couche SiGe (17) sont respectivement une région tampon de Si contenant des impuretés de type N en faible concentration (22) et une région canal de SiGe contenant des impuretés de type N en faible concentration (23). La région se trouvant juste en-dessous d'un film isolateur de grille (12) du film Si (18), est une région de couverture Si (24) où sont introduites des impuretés de type P (5 X 1017 atomes.cm-3). Il est ainsi possible de produire un dispositif semi-conducteur ne présentant pas d'accroissement de la tension de seuil.