WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002084715) SUPPORT DE TRANCHE EN FORME DE CHAMPIGNON POUR UNE MEILLEURE CONDUCTANCE ET UNE MEILLEURE UNIFORMITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084715    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011433
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2002    
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/687 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 950502 (US)
Inventeurs : SCHNEIDER, Gerhard; (US).
BARNES, Michael; (US).
NGUYEN, Andrew; (US)
Mandataire : PONTIUS, Kevin, L.; Roberts, Abokhair & Mardula, LLC, Suite 1000, 11800 Sunrise Valley Drive, Reston, VA 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
09/834,501 12.04.2001 US
Titre (EN) MUSHROOM STEM WAFER PEDESTAL FOR IMPROVED CONDUCTANCE AND UNIFORMITY
(FR) SUPPORT DE TRANCHE EN FORME DE CHAMPIGNON POUR UNE MEILLEURE CONDUCTANCE ET UNE MEILLEURE UNIFORMITE
Abrégé : front page image
(EN)Configurations of semiconductor processing chambers to promote consistency of pressure profiles across the surface of the wafer being processed. One aspect of the chamber configuration is a mushroom-shaped wafer support structure with a broad electrode supported by a relatively narrow vertical stem arising from the bottom wall of the chamber. The stem may be centered under the electrode or, optionally, is offset from its center. Services for the electrode are provided via the narrow vertical stem. Another aspect of the chamber configuration is twin processing regions together in a single chamber, evacuated by a single vacuum pump.
(FR)La présente invention concerne des configurations de chambres de traitement de semi-conducteurs destinées à favoriser l'homogénéité des profils de pression sur la surface de la tranche traitée. Selon un aspect de la configuration de la chambre, une structure de support de tranche en forme de champignon comporte une grande électrode soutenue par un pied vertical relativement étroit faisant saillie à partir de la paroi de fond de la chambre. Le pied peut être centré sous l'électrode ou, éventuellement, être décalé du centre. Les équipements techniques pour l'électrode sont acheminés via le pied vertical étroit. Selon un autre aspect de la configuration de la chambre, des régions de traitement jumelles sont réunies dans une seule chambre, et le vide y est produit par une seule pompe à vide.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)