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1. (WO2002084697) DETECTION D'ELECTRONS RETRODIFFUSES A PARTIR D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084697    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/007804
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 13.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2002    
CIB :
H01J 37/244 (2006.01), H01L 31/118 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : PEARCE-PERCY, Henry; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/832,765 10.04.2001 US
Titre (EN) DETECTION OF BACKSCATTERED ELECTRONS FROM A SUBSTRATE
(FR) DETECTION D'ELECTRONS RETRODIFFUSES A PARTIR D'UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A backscattered electron detector capable of detecting electrons backscattered from a substrate includes a p-n junction diode having a p-doped semiconductor in contact with an n-doped semiconductor and a surface to receive the backscattered electrons. The backscattered electron detector also has a diode voltage source adapted to electrically bias the diode relative to the substrate by a diode bias voltage of at least about 500 V to increase the number or energy level of the backscattered electrons received by the diode. A signal amplifier may be used to process an input signal from the diode and generate an output signal that is amplified and passed to a controller that uses the amplified signal to locate a fiducial mark on the substrate.
(FR)L'invention concerne un détecteur d'électrons rétrodiffusés pouvant détecter des électrons rétrodiffusés à partir d'un substrat et comprenant une diode à jonction p-n possédant un semi-conducteur dopé p en contact avec un semi-conducteur dopé n ainsi qu'une surface permettant de recevoir les électrons rétrodiffusés. Le détecteur d'électrons rétrodiffusés comprend également une source de tension de diode conçue pour polariser électriquement la diode par rapport au substrat au moyen d'une tension de polarisation de diode d'au moins environ 500 V, d'où l'augmentation du nombre ou du niveau énergétique des électrons rétrodiffusés reçus par la diode. Un amplificateur de signal peut être utilisé pour traiter un signal d'entrée en provenance de la diode et pour produire un signal de sortie amplifié en direction d'une unité de commande, laquelle utilise ce signal amplifié pour localiser un repère sur ledit substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)