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1. (WO2002084235) CAPTEUR INFRAROUGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084235    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/003077
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 10.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.04.2001    
CIB :
G01J 5/10 (2006.01), G01J 5/12 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBAYAMA, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBAYAMA, Katsumi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Okura-honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INFRARED SENSOR
(FR) CAPTEUR INFRAROUGE
Abrégé : front page image
(EN)An infrared sensor comprising a support member including a support film and a substrate having a hollow portion and supporting the support film; a polysilicon film extending from over the hollow portion to over the substrate; SiO2 formed over the polysilicon film and including a first contact hole over the hollow portion and a second contact hole over the substrate; an aluminum film connected with the polysilicon film through the first contact hole and with an adjoining polysilicon film through the second contact hole; and a heat absorbing layer formed over the hollow portion to cover the first contact hole. The aluminum film is formed over the hollow portion through the corresponding polysilicon film and the SiO2
(FR)L'invention concerne un capteur infrarouge comportant un élément de support qui comprend une couche mince de support et un substrat présentant une partie creuse et soutenant ladite couche mince de support; une couche mince de silicium polycristallin s'étendant du dessus de la partie creuse au dessus du substrat; du SiO2 formé par dessus la couche mince de silicium polycristallin et comportant un premier trou de contact sur la partie creuse et un deuxième trou de contact sur le substrat; une couche mince d'aluminium reliée à la couche mince de silicium polycristallin par le premier trou de contact et à une couche mince de silicium polycristallin adjacente par le deuxième trou de contact; et une couche d'absorption de chaleur formée par dessus la partie creuse pour couvrir le premier trou de contact. La couche mince d'aluminium est formée par dessus la partie creuse, à travers la couche mince de silicium polycristallin et le SiO2 correspondants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)