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1. (WO2002083981) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR DEPOT ELECTROCATALYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/083981    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/003378
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 04.04.2002
CIB :
C23C 18/16 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
SEGAWA, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Shuzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASUDA, Zenya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIHARA, Masao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOGAMI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SEGAWA, Yuji; (JP).
SATO, Shuzo; (JP).
YASUDA, Zenya; (JP).
ISHIHARA, Masao; (JP).
NOGAMI, Takeshi; (JP)
Mandataire : SATOH, Takahisa; SOHSHIN INTERNATIONAL PATENT OFFICE, 4F, Miyaki Bldg., 4-2, Yanagibashi 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-109156 06.04.2001 JP
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR ELECTROLESS PLATING
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR DEPOT ELECTROCATALYTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A device and a method for electroless plating capable of uniformly and accurately performing electroless plating by suppressing the secular change of plating solution; the device capable of forming a conductive film on a plated surface by applying an electroless treatment thereon under a specified gas atmosphere, comprising a plating solution tank (21) installed so that the plated surface of a plated object (W) faces the inner surface thereof to separate the plated surface from an outside atmosphere and a plating solution feeding means (26) for feeding the plating solution onto the plated surface in such a manner that the impact of the plating solution on the plated surface of the plated object (W) can be relieved.
(FR)L'invention concerne un dispositif et un procédé pour dépôt électrocatalytique permettant d'effectuer un dépôt électrocatalytique uniforme et précis par suppression de la variation séculaire d'une solution de dépôt de métal. Ledit dispositif permet de former un film conducteur sur une surface de métallisation par application d'un traitement électrocatalytique sur ladite surface dans une atmosphère gazeuse spécifiée. Il comprend un réservoir de solution (21) de dépôt de métal installé de sorte que la surface de métallisation d'un objet à métalliser (W) soit opposée à la surface intérieure dudit réservoir afin de séparer ladite surface de métallisation de l'atmosphère extérieure, et des moyens de fourniture de solution de dépôt de métal permettant de déposer ladite solution sur la surface à métalliser de sorte que l'impact de cette solution sur la surface de métallisation de l'objet à métalliser (W) soit amorti.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)