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1. (WO2002083975) APPAREIL ET PROCEDE DE PULVERISATION CATHODIQUE EPITAXIALE DE COUCHES EPITAXIALES ET FILMS HAUTE QUALITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/083975    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011635
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 11.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.11.2002    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : TELEPHOTONICS, INC. [US/US]; 100 Fordham Road, Wilmington, MA 01887 (US)
Inventeurs : CHISTYAKOV, Roman; (US)
Mandataire : XU, Chuck; Dupont Photonics Technologies, LLC, 100 Fordham Road, Wilmington, MA 01887 (US)
Données relatives à la priorité :
60/283,515 11.04.2001 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR EPITAXIAL SPUTTER DEPOSITION OF EPILAYERS AND HIGH QUALITY FILMS
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE PULVERISATION CATHODIQUE EPITAXIALE DE COUCHES EPITAXIALES ET FILMS HAUTE QUALITE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for sputtering a film layer onto a substrate (11) including a sputtering chamber (1) having a sputtering conical target (2) of a defined thickness. The sputtering chamber (1) produces high-energy particles that bombard the conical target (2). The particles from the target (2) are deposited on the substrate (11). The target (2) is positioned a defined distance away from the substrate (11). The target (2) is designed to reflect high-energy particles in a direction normal to the surface of the target (2) such that the high-energy particles do not come into contact with the substrate (11).
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil permettant de former par pulvérisation cathodique une couche pelliculaire à la surface d'un substrat et consistant à utiliser une chambre de pulvérisation ayant une cible conique de pulvérisation d'une épaisseur définie. La chambre de pulvérisation produit des particules de grande énergie qui bombardent la cible conique. Les particules qui sont issues de la cible sont déposées sur le substrat. La cible est positionnée à une distance définie du substrat. Cette cible est conçue pour réfléchir les particules de grande énergie suivant une direction perpendiculaire à sa surface de sorte que ces particules de grande énergie n'entrent pas en contact avec le substrat.
États désignés : Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)