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1. (WO2002083774) MATERIAUX NANOSTRUCTURES HYBRIDES A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS II-VI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/083774    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011187
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 10.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2002    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : RUTGERS, THE STATE UNIVERSITY OF NEW JERSEY [US/US]; Old Queens Somerset Street New Brunswick, NJ 08903 (US) (Tous Sauf US).
LI, Jing [US/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Xiaoying [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Jing; (US).
HUANG, Xiaoying; (US)
Mandataire : BUTCH, Peter, J., III; Synnestvedt & Lechner LLP 2600 Aramark Tower 1101 Market Street Philadelphia, PA 19107-2950 (US)
Données relatives à la priorité :
60/282,967 11.04.2001 US
Titre (EN) HYBRID NANOSTRUCTURED MATERIALS BASED ON II-VI SEMICONDUCTORS
(FR) MATERIAUX NANOSTRUCTURES HYBRIDES A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS II-VI
Abrégé : front page image
(EN)Hybrid crystalline organic-inorganic quantum confined systems are disclosed, which contain alternating layers of a bifunctional organic ligand and a II-VI semiconducting chalcogenide, wherein the semiconducting chalcogenide layers contain chalcogenides have the formula MQ, in which M is independently selected from II-VI semiconductor cationic species and Q is independently selected from S, Se and Te; and the bifunctional organic ligands of each organic ligand layer are bonded by a first functional group to an element M of an adjacent II-VI semiconducting chalcogenide layer and by a second functional group to an element M from the adjacent opposing II-VI semiconducting chalcogenide layer, so that the adjacent opposing II-VI semiconducting chalcogenide layers are linked by the bifunctional organic ligands of the organic ligand layers. Optical absorption experiments show that these systems produce a significant blue shift in their optical absorption edges, 1.2-1.5 eV, compared to a shift of 1.0 electron volt by the best grown II-VI or III-V semiconducting quantum colloidal dots. In addition, the II-VI confined layers in these systems possess a perfectly periodic arrangement.
(FR)L'invention porte sur des systèmes confinés cristallins, hybrides, à quantum organique-inorganique qui contiennent des couches alternées d'un ligand organique bifonctionnel et d'un chalcogénure semi-conducteur II-VI. Les couches de chalcogénure semi-conducteur contiennent des chalcogénures ayant la formule MQ, dans laquelle M est indépendamment sélectionné parmi des espèces cationiques à semi-conducteurs II-VI et Q est indépendamment sélectionné parmi S, Se et Te; et les ligands organiques bifonctionnels de chaque couche de ligands organiques sont liés par un premier groupe fonctionnel à un élément M d'une couche adjacente de chalcogénures semi-conducteurs II-VI, et par un second groupe fonctionnel à un élément M issu de la couche opposée, adjacente, de chalcogénures semi-conducteurs II-VI de sorte que les couches opposées adjacentes de chalcogénures semi-conducteurs II-VI soient liées par les ligands organiques bifonctionnels des couches de ligands organiques. Des expériences d'absorption optique ont montré que ces systèmes produisent un décalage de bleu important dans leurs bords d'absorption optique, 1.2-1.5 eV, comparé à un décalage de 1,0 électron-volt par les points colloïdaux à quantum semi-conducteurs II-VI ou III-V les mieux étirés. De plus, les couches confinées de ces systèmes possèdent un arrangement périodique parfait.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)