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1. (WO2002083327) EMPILEMENTS STRATIFIES ET PROCEDES DE PRODUCTION CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/083327    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011927
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 16.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.10.2002    
CIB :
H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; PO Box 2245, 101 Columbia Road, Morristown, NJ 07962 (US) (Tous Sauf US).
THOMAS, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
DANIELS, Brian [US/US]; (US) (US Seulement).
APEN, Paul [US/US]; (US) (US Seulement).
NAMAN, Ananth [US/US]; (US) (US Seulement).
IWAMOTO, Nancy [US/US]; (US) (US Seulement).
KOROLEV, Boris [RU/US]; (US) (US Seulement).
LI, Bo [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : THOMAS, Michael; (US).
DANIELS, Brian; (US).
APEN, Paul; (US).
NAMAN, Ananth; (US).
IWAMOTO, Nancy; (US).
KOROLEV, Boris; (US).
LI, Bo; (US)
Mandataire : THOMPSON, Sandie; Rutan & Tucker, LLP, 611 Anton Blvd., 14th Floor, Costa Mesa, CA 92626 (US)
Données relatives à la priorité :
60/284,271 16.04.2001 US
60/294,864 30.05.2001 US
Titre (EN) LAYERED STACKS AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF
(FR) EMPILEMENTS STRATIFIES ET PROCEDES DE PRODUCTION CORRESPONDANTS
Abrégé : front page image
(EN)Low dielectric constant layered materials and a methof for making said layered materials comprising the steps of: a) providing a surface ; b) spinning a dielectric material on to the surface; c) curing the dielectric material to form a dielectric layer; d) spinning a low dielectric constant material on to the dielectric layer; and e) curing the low dielectric constant material to form a low dielectric constant layer. Each layer can be spun-on to the layered component and subsequently cured before additional layers are added or all layers can be spun-on to the layered component and then the entire stack is cured at once.
(FR)L'invention concerne des matériaux stratifiés à constante diélectrique faible, et un procédé permettant de fabriquer ces matériaux stratifiés consistant: a) à utiliser une surface; b) à appliquer par centrifugation un matériau diélectrique sur la surface; c) à cuire le matériau diélectrique pour former une couche diélectrique; d) à appliquer par centrifugation un matériau à constante diélectrique faible sur la couche diélectrique; et e) à cuire le matériau à constante diélectrique faible pour former une couche à constante diélectrique faible. Chaque couche peut être appliquée par centrifugation sur l'élément stratifié puis, cuit avant l'ajout de couches supplémentaires, ou encore, toutes les couches peuvent être appliquées par centrifugation sur l'élément stratifié, l'ensemble de empilement pouvant être cuit en une seule fois.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)