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1. (WO2002082578) STRUCTURE DE CONNEXION DE BROCHE CONNECTEUR ET DE LIGNE DE SIGNAL ET BOITIER A SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CETTE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082578    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/000299
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 17.01.2002
CIB :
H01P 5/08 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0041 (JP) (Tous Sauf US).
KATO, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUNO, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Motoyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KATO, Akira; (JP).
TSUNO, Takashi; (JP).
TANAKA, Motoyoshi; (JP)
Mandataire : NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku Osaka-shi, Osaka 554-0024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-107213 05.04.2001 JP
Titre (EN) CONNECTION STRUCTURE OF CONNECTOR PIN AND SIGNAL LINE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING IT
(FR) STRUCTURE DE CONNEXION DE BROCHE CONNECTEUR ET DE LIGNE DE SIGNAL ET BOITIER A SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CETTE STRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)A connection structure of a connector pin and a signal line, in which transmittance is prevented from being lowered by a high frequency signal being radiated to the outside or reflected to the transmitting side when it is induced from a rod-like coaxial structure to a signal line of planar waveguide, and transmission loss due to assembling error can be minimized when the connection structure is set in a semiconductor package. The signal line (3) at a part to be connected with the connector pin (1) is made narrower than the signal line at a non-connection part where the impedance can be matched with the characteristic impedance of a connector, and it is also made narrower than the projection width of the connector pin diameter.
(FR)Cette invention se rapporte à une structure de connexion d'une broche connecteur et d'une ligne de signal, dans laquelle tout abaissement de la transmittance est empêché par un signal haute fréquence qui est émis par rayonnement vers l'extérieur ou par réflexion vers le côté émetteur, au moment où il est induit à partir d'une structure coaxiale en forme de tige, en direction d'une ligne de signal d'un guide d'ondes plan, et toute perte de transmission due à une erreur d'assemblage peut être réduite au minimum, lorsque la structure de connexion est montée dans un boîtier à semi-conducteurs. La ligne de signal (3) au niveau d'une partie à connecter avec la broche connecteur (1) est conçue plus étroite que la ligne de signal au niveau d'une partie de non-connexion, où l'impédance peut être appariée à l'impédance caractéristique d'un connecteur, et elle est également conçue plus étroite que la largeur de projection du diamètre de la broche connecteur.
États désignés : CN, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)