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1. (WO2002082560) DOPAGE DE CONTACT AUTO-AJUSTE POUR DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082560    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/001191
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 03.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.10.2002    
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (JP, KR only).
KLAUK, Hagen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHMID, Guenter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KLAUK, Hagen; (DE).
SCHMID, Guenter; (DE)
Mandataire : KOTTMANN, Dieter; Müller, Hoffmann & Partner, Patentanwälte, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Données relatives à la priorité :
101 16 876.4 04.04.2001 DE
Titre (DE) SELBSTJUSTIERTE KONTAKTDOTIERUNG FÜR ORGANISCHE FELDEFFEKTTRANSISTOREN
(EN) SELF-ALIGNED CONTACT DOPING FOR ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) DOPAGE DE CONTACT AUTO-AJUSTE POUR DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung elektrisch leitfähiger organischer Verbindungen, ein Verfahren zur Herstellung organischer Feldeffekttransistoren sowie einen organischen Feldeffekttransistor mit vereinfachter Struktur. Gemäß dem beanspruchten Verfahren wird eine Dotiersubstanz, welche durch Belichtung mit einer Aktivierungsstrahlung aktivierbar ist, in eine elektrisch leitfähige organische Verbindung eingebracht und die elektrisch leitfähige organische Verbindung mit der Aktivierungsstrahlung belichtet. Durch die Aktivierungsstrahlung wird eine chemische Reaktion ausgelöst, durch welche die Dotiersubstanz irreversibel in der elektrisch leitfähigen organischen Verbindung fixiert wird. Durch eine geschickte Anordnung der einzelnen Elemente eines Transistors, lässt sich eine Transistorstruktur verwirklichen, die wesentlich kostengünstiger herzustellen ist als bisher bekannte organische Feldeffekttransistoren. Dabei ist auf einem Substrat (1) ein Sourcekontakt (4), ein Drainkontakt (5) und eine Gateelektrode (2) nebeneinander angeordnet. Die Gateelektrode (2) ist mit einem Gatedielektrikum (3) isoliert, wobei die Anordnung so gewählt wird, dass zwischen Gatedielektrikum (3) und Source- bzw. Drainkontakt (4, 5) ein Abstand (11a, 11b) entsteht, in dem der organische Halbleiter (6) direkt auf dem Substrat (1) aufgetragen ist. Durch Rückseitenbelichtung können dotierte Bereiche (8, 9) erzeugt werden, in denen der organische Halbleiter (6) eine erhöhte elektrische Leitfähigkeit aufweist, während in der vom Feld der Gateelektrode (2) beeinflussten Kanalregion (7) eine niedrige elektrische Leitfähigkeit des organischen Halbleiters (6) bleibt.
(EN)The invention relates to a method for doping electroconductive organic compounds, to a method for producing organic field effect transistors and to an organic field effect transistor with a simplified structure. The inventive method is characterized in that a doping substance that can be activated by irradiating it with an activation radiation is introduced into an electroconductive organic compound and the electroconductive compound is irradiated with the activation radiation. The activation radiation triggers a chemical reaction which irreversibly fixates the doping substance in the electroconductive organic compound. A specific arrangement of the individual elements of a transistor allows production of a transistor structure that can be produced at substantially lower costs than organic field effect transistors known so far. According to the specific arrangement, a source contact (4), a drain contact (5) and a gate electrode (2) are arranged one beside the other on a substrate (1). The gate electrode (2) is insulated with a gate dielectric (3). The arrangement is chosen in such a way that between the gate dielectric (3) and the source or drain contact (4, 5) a gap (11a, 11b) is formed in which the organic semiconductor (6) is applied directly to the substrate (1). Doped areas (8, 9) are produced by back irradiation in which areas the organic semiconductor (6) has an increased electroconductivity while in the channel region (7) that is influenced by the field of the gate electrode (2) the electroconductivity of the organic semiconductor (6) remains low.
(FR)L'invention concerne un procédé pour le dopage de composés organiques électroconducteurs, un procédé pour la production de transistors à effet de champ organiques, ainsi qu'un transistor à effet de champ organique à structure simplifiée. Selon le procédé de l'invention, une substance de dopage pouvant être activée par exposition à un rayonnement d'activation est introduite dans un composé organique électroconducteur et le composé organique électroconducteur est exposé au rayonnement d'activation. Le rayonnement d'activation déclenche une réaction chimique grâce à laquelle la substance de dopage est fixée irréversiblement dans le composé organique électroconducteur. Un agencement savant des divers éléments d'un transistor permet de réaliser une structure de transistor qui peut être produite bien plus économiquement que les transistors à effet de champ organiques connus jusqu'à maintenant. Selon cet agencement, un contact source (4), un contact drain (5) et une électrode de grille (2) sont placés côte à côte sur un substrat (1). L'électrode de grille (2) est isolée à l'aide d'un diélectrique de grille (3), l'agencement étant choisi de sorte qu'il se forme, entre le diélectrique de grille (3) et le contact source ou drain (4, 5), un espace (11a, 11b) dans lequel le semi-conducteur organique (6) est appliqué directement sur le substrat (1). On génère, par exposition de la face arrière, des zones dopées (8, 9) dans lesquelles le semi-conducteur organique (6) présente une électroconductivité accrue alors que l'électroconductivité du semi-conducteur organique (6) reste faible dans la zone (7) du canal influencée par le champ de l'électrode de grille (2).
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)