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1. (WO2002082556) DISPOSITIF DE PROTECTION DE SURTENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/082556    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/001622
Date de publication : 17.10.2002 Date de dépôt international : 05.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.09.2002    
CIB :
H01L 29/87 (2006.01)
Déposants : POWER INNOVATIONS LIMITED [GB/GB]; Manton Lane, Bedford MK41 7BY (GB) (Tous Sauf US).
SMITH, Jeremy, Paul [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
DUANE, Russell [IE/IE]; (IE) (US Seulement).
BYATT, Stephen, Wilton [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, Jeremy, Paul; (GB).
DUANE, Russell; (IE).
BYATT, Stephen, Wilton; (GB)
Mandataire : HALLAM, Arnold, Vincent; Lewis & Taylor, 144 New Walk, Leicester LE1 7JA (GB)
Données relatives à la priorité :
0108792.3 07.04.2001 GB
Titre (EN) OVERVOLTAGE PROTECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PROTECTION DE SURTENSION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device has a PN junction between first (18) and second (14) regions of the device in which in the intended operation of the device reverse breakdown of the junction occurs. The first region (18) is a lower impurity concentration than the second region (14) and a first buried region (16) of the same conductivity type as and of higher impurity concentration than the first region (18) is provided in the first region adjacent to the junction. A second buried region (42) of the same conductivity type as and of higher impurity concentration than the first buried region (16) is provided in the first buried region and one of the first and second buried regions (16, 42) is formed with a plurality of separate regions (44, 48) of small area arranged so that reverse breakdown of the junction preferentially occurs through the second buried region (42).
(FR)L'invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur ayant un raccordement électrique PN venant entre des première (18) et seconde (14) zones du dispositif dans lesquelles survient le claquage sous la polarisation inverse du raccordement électrique lors du fonctionnement souhaité du dispositif. La première zone (18) présente une teneur inférieure en impuretés que la seconde zone (14) tandis qu'une première zone enterrée (16) du même type de conductivité que, et dont la concentration d'impuretés est supérieure par rapport à la première zone (18), est pratiquée dans la première zone adjacente au raccordement électrique. Une seconde zone enterrée (42) de même conductivité que, et ayant une teneur en impuretés supérieure à la première zone enterrée (16), est pratiquée dans la première zone enterrée alors qu'une des première et seconde zones enterrées (16, 42) est obtenue avec une pluralité de zones séparées (44, 48) de petite superficie disposées de manière que le claquage sous polarisation inverse du raccordement électrique arrive de préférence à travers la seconde zone enterrée (42).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)